[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括衬底，所述衬底中设有有源区，所述有源区位于所述衬底顶部；其中，还包括：

介质层，位于所述衬底的顶表面上，所述介质层中设有贯穿孔，所述贯穿孔位于所述有源区的顶表面上，所述介质层远离所述有源区部分的厚度大于靠近所述有源区部分的厚度；

金属层，位于所述介质层的顶表面上，经所述介质层的侧表面向下延伸至所述有源区上方，并填充所述贯穿孔以与所述有源区形成电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介质层呈台阶状，所述台阶的侧表面包括倾斜面，所述金属层从所述台阶的顶表面经所述倾斜面向下延伸至所述有源区上方。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述介质层具有两级台阶，其中上级台阶的侧表面包括所述倾斜面；

所述金属层从所述上级台阶的顶表面经所述倾斜面向下延伸至所述下级台阶的顶表面上，并填充所述贯穿孔以与所述有源区电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述倾斜面的顶部与所述上级台阶的顶表面连接，所述倾斜面的底部连接所述下级台阶的顶表面；

以两级台阶的总高度为100％计，所述上级台阶的高度为所述总高度的70％～95％。

5.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其中，所述下级台阶的高度为0.6～1.5μm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，位于所述贯穿孔中的金属层与所述有源区的顶表面直接接触。

7.一种半导体器件的制造方法，其中，包括：

在衬底的顶表面上形成介质层，其中所述衬底中设有有源区，所述有源区位于所述衬底顶部；

在所述介质层的顶表面上形成第一掩模层，所述第一掩模层的开口暴露出位于所述有源区上方的介质层；

经由所述第一掩模层的开口对所述介质层进行第一次刻蚀，使剩余的介质层中，远离有源区部分的厚度大于靠近有源区部分的厚度；

在介质层的顶表面上形成第二掩模层，所述第二掩模层的开口暴露出位于所述有源层上方的部分介质层；

经由所述第二掩模层的开口对所述介质层进行第二次刻蚀，在所述介质层对应所述有源区的地方刻蚀出贯穿孔；以及

在所述介质层的表面上形成金属层，所述金属层自所述介质层的顶表面经侧表面延伸至所述有源区上方，填充所述贯穿孔并与所述有源区电连接。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，对所述介质层进行第一次刻蚀，部分去除位于所述第一掩模层的开口下方的所述介质层，并使得暴露出的所述介质层的侧表面朝向所述有源区延伸而形成倾斜面。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述第一次刻蚀为湿法刻蚀。

10.根据权利要求8或9所述的制造方法，其中，经由所述第一次刻蚀，位于第一掩膜层的开口下方的介质层的厚度为0.6～1.5μm。