[发明专利]外延设备及其测温装置

说明书

本发明公开一种外延设备及其测温装置，用于测量位于工艺腔室内的被测物体的温度，工艺腔室朝向测温装置的一侧设有测温窗，测温装置包括：红外测温部，所述红外测温部固定安装于所述工艺腔室之外，且沿所述测温窗的轴向，所述红外测温部的投影位于所述测温窗之外；反射部，所述反射部转动安装于所述工艺腔室之外，所述反射部可转动，以将所述被测物体辐射出，且穿过所述测温窗的红外辐射能量反射至所述红外测温部。上述技术方案可以解决目前温度测量设备通过电动滑轨安装，温度测量过程中，需要使温度测量设备位于基座上方，导致温度测量设备长期处于高温状态，造成温度测量设备的使用寿命严重下降的问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种外延设备及其测温装置。

背景技术

在半导体加工过程中，外延工艺通常需要在高温条件下进行，为了提升外延效率，通常借助多片外延设备同时对多个硅片进行外延工艺。为了对多个硅片进行加热，通常将多个硅片环绕地放置在基座上，且在基座的下方设置多个加热线圈，且在外延过程中，使基座保持旋转。为了保证多个硅片的温度相同，通常需要对加热线圈的温场分布进行测量，由于外延过程中，基座通常保持旋转，进而一般仅需在加热线圈的半径方向选取多个点位进行温度测量，以对应调整多个加热线圈的加热参数，使所加热的多个硅片的温度基本相等。

目前，通常在基座上方设置温度测量设备，且借助电动滑轨等移动机构带动温度测量设备在基座的上方移动，以测量基座上半径方向上多个不同位置处的温度，由于基座的温度通常较高，由于温度测量设备需要移动至基座上方对基座的温度进行测量，导致温度测量设备长期处于高温状态，造成温度测量设备的使用寿命严重下降。

发明内容

本发明公开一种外延设备及其测温装置，以解决目前温度测量设备通过电动滑轨安装，温度测量过程中，需要使温度测量设备位于基座上方，导致温度测量设备长期处于高温状态，造成温度测量设备的使用寿命严重下降的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

第一方面，本发明公开了一种测温装置，用于测量位于工艺腔室内的被测物体的温度，所述工艺腔室朝向所述测温装置的一侧设有测温窗，所述测温装置包括：

红外测温部，所述红外测温部固定安装于所述工艺腔室之外，且沿所述测温窗的轴向，所述红外测温部的投影位于所述测温窗之外；

反射部，所述反射部转动安装于所述工艺腔室之外，所述反射部可转动，以将所述被测物体辐射出，且穿过所述测温窗的红外辐射能量反射至所述红外测温部。

第二方面，本发明还公开了一种外延设备，包括工艺腔室、承载基座和上述测温装置，所述工艺腔室设有测温窗，所述承载基座设置于所述工艺腔室内，所述红外测温部固定安装于所述工艺腔室之外，且沿所述测温窗的轴向，所述红外测温部的投影位于所述测温窗之外；所述反射部转动安装于所述工艺腔室之外，所述反射部可转动，以将所述承载基座辐射出，且穿过所述测温窗的红外辐射能量反射至所述红外测温部。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明实施例公开一种测温装置，该测温装置能够测量位于工艺腔室之内的被测物体的温度。工艺腔室朝向测温装置的一侧设置有测温窗，从而保证工艺腔室内的被测物体辐射出的红外辐射能量能够通过测温窗辐射至测温装置，保证测温装置能够测量被测物体的温度。

其中，测温装置包括红外测温部和反射部，红外测温部固定在工艺腔室之外，反射部在转动安装在工艺腔室之外，反射部能够反射红外辐射能量，从而通过使反射部转动，保证在红外测温部保持固定的情况下，被测物体上不同位置处辐射出的红外辐射能量也均能够辐射至红外测温部内，从而借助红外测温部测量被测物体上不同位置处的温度。