[发明专利]一种太阳能硅晶片抗光衰处理输送装置及方法在审
申请号: | 202011155083.3 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN112239070A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 徐建方;王凤连;王莉霞 | 申请(专利权)人: | 宁波初创产品设计有限公司 |
主分类号: | B65G47/74 | 分类号: | B65G47/74;B65G47/22;B65G47/88;B65G47/90;H01L31/18 |
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地址: | 315153 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 晶片 抗光衰 处理 输送 装置 方法 | ||
本发明涉及太阳能硅晶片生产领域。一种太阳能硅晶片抗光衰处理输送装置,包括治具上料机构和治具缓存机构;治具上料机构输入端与硅晶片上料装置输出端相衔接,并且治具上料机构输出端与治具缓存机构输入端相衔接;治具缓存机构输出端与光衰炉进料口相连接;治具上料机构用于对太阳能硅晶片进行定位并且输送;治具缓存机构用于将输送的多余治具进行缓存后输出至下一工位。该装置通过设置治具上料机构对堆叠后的太阳能硅晶片进行整理,提高光衰处理的质量;通过设置治具缓存机构减少定位治具的缓存步骤,提高缓存过程中太阳能硅晶片质量。
技术领域
本发明涉及太阳能硅晶片生产技术领域,尤其涉及一种太阳能硅晶片抗光衰处理输送装置及方法。
背景技术
目前,掺硼P型晶体硅太阳电池是占据光伏市场70%以上的产品,然而,该种太阳电池在使用的时候会出现效率下降的现象,该现象被称之为光致衰减。光衰研究就是将硅晶片置于光源下进行照射,测试其照射前后的电学性能并得到相对应的光衰减幅度。研究硅晶片的光衰减情况一般是将硅晶片放置于模拟太阳光发生器的光衰箱里进行光照,然后测试硅晶片的电学性能。而在研究硅晶片的光衰减情况时需要对太阳能硅晶片自动进行上下料以及光照处理,因此,处理过程用到的太阳能硅晶片光衰设备就显得尤为重要。
中国发明专利申请(公开号CN107046081A,公开日:20170815)公开了一种抗光衰炉,包括炉支架和多个恒流源,炉支架上设有循环输送硅片的输送装置,炉支架沿所述输送装置入料端至出料端依次设有预热区、光照区和冷却区,光照区的正上方设有若干组并排设置的LED灯光照模组,每组LED灯光照模组由多个具有水冷作用的LED灯条组成,每个LED灯条均由一个恒流源独立控制。一个恒流源独立控制一个LED灯条,使LED灯条具有超高光照强度的同时,又可以控制其发热的温度,使LED灯条在一个恒定的温度下工作。硅片进入本抗光衰炉的过程中,经过多组LED灯光照模组的强光照射,硅片氢钝化效果明显。
现有技术存在以下不足:1、对太阳能硅晶片进行输送时,先将多个太阳能硅晶片搬移至定位治具中,而后通过传送带直接将定位治具输送至下一工位完成太阳能硅晶片抗光衰处理输送过程;而硅晶片定位治具为了保证太阳能硅晶片能够顺利放入一般与太阳能硅晶片为间隙配合,即太阳能硅晶片边缘与定位治具之间有缝隙;由于搬移误差的存在,当多个太阳能硅晶片堆叠在硅晶片定位治具中时位于上方的太阳能硅晶片和位于下方的太阳能硅晶片会出现不能对齐的情况;而由于没有对堆叠后的太阳能硅晶片进行整理的装置,多个太阳能硅晶片抗光衰处理输送后进行光衰处理时不能对齐,从而造成不同位置的太阳能硅晶片光衰处理效果不同,降低了光衰处理的质量。2、对多余的定位治具进行缓存时,先用搬移装置将多余的定位治具搬移至缓存工位,需要使用时再用搬移装置将缓存工位上的定位治具搬移至治具输出工位;而此种缓存方式定位治具输入输出时都需要搬移装置搬运,还需要搬移装置完成下移抓取、平移输送和治具下落三个步骤才能完成定位治具的缓存,从而增加了设备的复杂度以及定位治具的缓存步骤;同时,太阳能硅晶片为硬脆材料,在搬运抓取上移和下落过程中产生的冲击力容易造成定位治具中堆叠的太阳能硅晶片相互挤压碰撞;从而引起太阳能硅晶片发生破裂,降低缓存过程中太阳能硅晶片质量。
发明内容
本发明的目的是:针对上述问题,提出通过设置治具上料机构对堆叠后的太阳能硅晶片进行整理,提高光衰处理的质量;通过设置治具缓存机构减少定位治具的缓存步骤,提高缓存过程中太阳能硅晶片质量的一种太阳能硅晶片抗光衰处理输送装置及方法。
为了实现上述的目的,本发明采用了以下的技术方案:
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