[发明专利]线性检测系统在审
申请号: | 202011155085.2 | 申请日: | 2015-06-03 |
公开(公告)号: | CN112530822A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 阿萨夫·施勒岑杰;钟声德 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26;G01N21/95;G01N21/64 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线性 检测 系统 | ||
1.一种检测系统,所述检测系统包含:
前端,所述前端经构造以将数个基板移送至输送系统;
模块化单元,所述模块化单元包含一或多个测量单元,所述一或多个测量单元沿所述输送系统线性安置以检测所述输送系统上的所述数个基板,并且经构造以基于所检测的所述数个基板中的一基板的缺陷废弃所述基板,所述一或多个测量单元包含选自由以下单元所构成的群组中的至少三个单元:
微裂纹检测单元;
厚度与电阻测量单元,所述厚度与电阻测量单元被构造成以0.5微米或小于0.5微米的可重复性测量基板厚度;
光致发光单元;
几何形状检测单元,所述几何形状检测单元被构造成以小于约10微米的可重复性测量基板长度;和
锯痕探测单元;
良率分析服务器,所述良率分析服务器被构造成:
接收并处理来自所述测量单元的检测数据;和
基于所处理的检测数据判定用以将各个基板分类的多个箱中的对应箱;以及
分类单元,所述分类单元被构造成基于所判定的对应箱将所述数个基板分类。
2.如权利要求1所述的检测系统,其中按以下相继次序安置所述测量单元:
所述微裂纹检测单元;随后
所述厚度与电阻测量单元;随后
所述光致发光单元;随后
所述几何形状检测单元;及随后
所述锯痕探测单元。
3.如权利要求1所述的检测系统,其中所述分类单元包含:
多个箱;以及
多个分类机构,所述多个分类机构用于基于所判定的对应箱将基板移送至所述多个箱。
4.如权利要求3所述的检测系统,其中分类单元包含沿所述分类单元的所述长度安置的两个平行传送带。
5.如权利要求1所述的检测系统,其中所述厚度与电阻测量单元具有1%或小于1%的电阻率可重复性。
6.如权利要求1所述的检测系统,其中提供所述良率分析服务器以使用自所述光致发光单元所接收的检测数据来产生砖块或锭块的三维视觉重建,所述数个基板自所述砖块或所述锭块切割。
7.如权利要求1所述的检测系统,其中所述几何形状检测单元具有小于约40微米的宽度可重复性。
8.如权利要求1所述的检测系统,其中所述几何形状检测单元具有约0.1度或小于0.1度的正交可重复性。
9.如权利要求1所述的检测系统,其中所述几何形状检测单元具有小于40微米的角到角距离可重复性。
10.如权利要求1所述的检测系统,其中当探测具有约150微米的尺寸的污点时,所述几何形状检测单元具有小于0.5%的误警率。
11.如权利要求1所述的检测系统,其中当探测具有约60微米的尺寸的碎屑时,所述几何形状检测单元具有小于0.5%的误警率。
12.如权利要求1所述的检测系统,其中所述几何形状检测单元包括一对U形探测器。
13.如权利要求1所述的检测系统,其中提供所述锯痕探测单元以分析基板的顶表面及底表面的轮廓,并且其中所述检测系统具有在小于0.1%的破损率下每小时3600个或多于3600个基板的产量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造