[发明专利]半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备

说明书

本发明提供一种半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备，其中，卡盘组件包括卡盘和遮挡部件，卡盘包括用于承载待加工件的承载面，遮挡部件包括与承载面相对的遮挡面，遮挡部件的遮挡面上设置有导流结构，卡盘内设置有进气部件，其中，进气部件用于在遮挡部件遮挡承载面时，向导流结构中输送吹扫气体；导流结构用于对输送至其中的吹扫气体进行导流，使吹扫气体对承载面进行吹扫。本发明提供的半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备，无需打开工艺腔室即可对卡盘上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘上的污染物进行清理，并缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)工艺，是利用等离子体对靶材进行轰击，使金属原子从靶材中逸出并沉积在晶片上，从而在晶片上形成薄膜。

在实际应用中，从靶材中逸出的金属原子，不仅会沉积到晶片上，还会沉积到工艺腔室的内壁以及工艺腔室内的其它部件上形成颗粒污染物，当颗粒污染物掉落至工艺中用于吸附晶片的静电卡盘上时，会使得晶片与静电卡盘无法完全贴合，导致静电卡盘无法完全吸附晶片。因此，在物理气相沉积工艺的工艺腔室中，通常还会设置有遮挡盘，遮挡盘用于在工艺腔室完全不工作时，对静电卡盘进行遮挡，以防止颗粒污染物掉落至静电卡盘上。并且，为了节省晶片的消耗，在对新靶材进行轰击或者对工艺腔室进行预热时，通常会使用遮挡盘替代晶片，即，将遮挡盘放置在静电卡盘上方，以使从靶材中逸出的金属原子，沉积到遮挡盘上。

但是，由于在取放晶片的过程中，即，在将晶片从静电卡盘上移走并移出工艺腔室，以及将晶片传送至工艺腔室内并放置在静电卡盘上的过程中，为了避免遮挡盘与晶片产生干涉，遮挡盘并不会移动至静电卡盘上，并且，通常只有在工艺腔室空闲时间达到二十分钟以上，确保工艺腔室完全不工作时，遮挡盘才会对静电卡盘进行遮挡，因此，虽然工艺腔室中设置有遮挡盘对静电卡盘进行遮挡，但是沉积在工艺腔室内的颗粒污染物，仍然会掉落至静电卡盘上，而一旦静电卡盘上掉落有颗粒污染物，只能打开工艺腔室对静电卡盘进行擦拭，而每一次打开工艺腔室都需要十几个小时的时间对工艺腔室进行恢复，导致工艺腔室的正常使用受到非常严重的影响。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备，其无需打开工艺腔室即可对卡盘上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘上的污染物进行清理，并缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。

为实现本发明的目的而提供一种半导体设备中的卡盘组件，包括卡盘和遮挡部件，所述卡盘包括用于承载待加工件的承载面，所述遮挡部件包括与所述承载面相对的遮挡面，所述遮挡部件的所述遮挡面上设置有导流结构，所述卡盘内设置有进气部件，其中，所述进气部件用于在所述遮挡部件遮挡所述承载面时，向所述导流结构中输送吹扫气体；所述导流结构用于对输送至其中的所述吹扫气体进行导流，使所述吹扫气体对所述承载面进行吹扫。

优选的，所述导流结构包括多个径向尺寸不同的环形导流部，多个所述环形导流部相互间隔环绕设置，并均相对于所述遮挡面朝向所述承载面凸出；

且各所述环形导流部上均开设有通气口，所述通气口沿所述环形导流部的径向贯穿所述环形导流部，并贯通至所述环形导流部朝向所述承载面的一侧面，所述通气口用于使各所述环形导流部之间的空间连通，以形成供所述吹扫气体流过的气体通道。

优选的，各所述环形导流部上均开设有多个所述通气口，多个所述通气口沿所述环形导流部的周向间隔设置。

优选的，相邻的两个所述环形导流部上的所述通气口交错设置。

优选的，所述进气部件包括在所述卡盘中开设的通孔，且所述通孔贯通至所述承载面。