[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括相间隔的第一区域和第二区域，所述基底包括衬底和多个分立于所述衬底上的堆叠结构，位于所述第一区域的所述堆叠结构作为第一堆叠结构，位于所述第二区域的所述堆叠结构作为第二堆叠结构；

形成保形覆盖所述第一堆叠结构、第二堆叠结构，且包围所述第一堆叠结构和第二堆叠结构之间间隔区域的第一介电层，在所述第一堆叠结构和第二堆叠结构之间形成空气墙；

形成所述空气墙后，在所述第一堆叠结构和第二堆叠结构背离所述空气墙的一侧形成第二介电层；

去除所述空气墙顶部的所述第一介电层；

去除所述空气墙顶部的所述第一介电层后，在所述第一堆叠结构和第二堆叠结构之间的所述间隔区域中形成介电墙。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体化学气相沉积工艺形成所述第一介电层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一介电层的步骤中，所述第一介电层的厚度为2纳米至100纳米。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介电层的材料包括：氧化硅。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以平行于所述衬底表面，且垂直于所述堆叠结构的延伸方向为横向，提供基底的步骤中，所述第一堆叠结构和第二堆叠结构之间的间隔区域的横向尺寸为3纳米至30纳米。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用流动性化学气相沉积工艺形成所述第二介电层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介电层的材料包括：氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述空气墙顶部的所述第一介电层的步骤包括：对所述空气墙顶部的所述第一介电层进行平坦化处理。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述平坦化工艺包括化学机械研磨工艺。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述空气墙顶部的所述第一介电层的步骤包括：采用干法刻蚀工艺刻蚀所述空气墙顶部的所述第一介电层。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介电墙的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化硼、氮化硼硅和氮化硼碳硅中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一堆叠结构和第二堆叠结构之间的间隔区域形成介电墙的步骤包括：

在所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构之间的间隔区域以及所述第一堆叠结构和第二堆叠结构上形成介电材料膜；

去除高于所述第一堆叠结构和第二堆叠结构的所述介电材料膜，剩余的位于所述第一堆叠结构和第二堆叠结构之间的间隔区域中的所述介电材料膜作为所述介电墙。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述堆叠结构包括：鳍部、位于所述鳍部上的多个沟道叠层，所述沟道叠层包括第一牺牲层和位于所述第一牺牲层上的沟道层；

所述堆叠结构还包括：第二牺牲层，位于所述鳍部和所述沟道叠层之间。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，

形成所述第一介电层的步骤中，所述第一堆叠结构、第二堆叠结构、第一介电层以及衬底围成空气墙；

所述半导体结构的形成方法还包括：

刻蚀所述第一介电层和第二介电层，形成隔离层，所述隔离层的顶面低于所述第二牺牲层的底面。