[发明专利]微型发光二极管显示器有效
申请号: | 202011158468.5 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN112259573B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 陈彦烨;吴志凌 | 申请(专利权)人: | 錼创显示科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 显示器 | ||
1.一种微型发光二极管显示器,其特征在于,包括:
第一型半导体基底层;
多个半导体发光平台,分散地配置于所述第一型半导体基底层上;
半导体垫高部,配置于所述第一型半导体基底层上,其中所述半导体垫高部在背对所述第一型半导体基底层的顶面与所述多个半导体发光平台在背对所述第一型半导体基底层的多个顶面为共平面;
第一接合金属层,配置于所述半导体垫高部上,且包括外延段,其经由所述半导体垫高部的侧面延伸至所述第一型半导体基底层,其中所述半导体垫高部的所述顶面为连续且平坦的表面,所述顶面与所述第一接合金属层之间的接触面在所述连续且平坦的表面上;以及
多个第二接合金属层,分别配置于所述多个半导体发光平台上;
其中所述半导体垫高部的所述顶面形成与所述第一接合金属层相邻的第一接合面,所述多个半导体发光平台的所述多个顶面分别形成与所述多个第二接合金属层相邻的多个第二接合面,且所述第一接合面与所述多个第二接合面为共平面,每一半导体发光平台与所述半导体垫高部各自包括:
第二型半导体层;以及
主动层,位于所述第一型半导体基底层与所述第二型半导体层之间,其中所述半导体垫高部为虚设半导体层。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器,其特征在于,所述第二型半导体层的电性相反于所述第一型半导体基底层的电性。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示器,其特征在于,所述第一接合金属层的电性相反于所述多个第二接合金属层的电性。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器,其特征在于,还包括导电层,其为图案化结构,所述导电层配置于所述第一型半导体基底层上并与所述多个半导体发光平台交错分布,且所述外延段借由所述导电层电性连接所述第一型半导体基底层。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器,其特征在于,所述第一接合金属层在垂直于所述第一型半导体基底层的方向上的沉积厚度等于所述多个第二接合金属层在垂直于所述第一型半导体基底层的方向上的沉积厚度。
6.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器,其特征在于,还包括:
电路基板;
第三接合金属层,将所述第一接合金属层与所述电路基板电性接合;以及
多个第四接合金属层,分别将所述多个第二接合金属层与所述电路基板电性接合,其中所述第一接合金属层与所述第三接合金属层之间的接合面共平面于每一第二接合金属层与对应的第四接合金属层之间的接合面。
7.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器,其特征在于,还包括绝缘层,覆盖每一所述半导体发光平台的一部分,且暴露出每一所述半导体发光平台的另一部分以与对应的第二接合金属层接合。
8.根据权利要求7所述的微型发光二极管显示器,其特征在于,所述绝缘层具有多个开口,以暴露出所述多个半导体发光平台的所述另一部分,且所述多个第二接合金属层分别嵌入所述多个开口中以与对应的所述多个半导体发光平台接合。
9.根据权利要求8所述的微型发光二极管显示器,其特征在于,所述多个第二接合金属层的背对第一半导体基底层的顶面与所述绝缘层的背对所述第一半导体基底层的顶面齐平。
10.根据权利要求7所述的微型发光二极管显示器,其特征在于,所述绝缘层更覆盖所述半导体垫高部。
11.根据权利要求10所述的微型发光二极管显示器,其特征在于,所述绝缘层与所述第一接合金属层之间的接合面共平面于所述绝缘层与所述第二接合金属层之间的接合面。
12.根据权利要求7所述的微型发光二极管显示器,其特征在于,还包括多个反射金属层,分别配置于所述多个半导体发光平台的侧面,其中所述绝缘层配置于每一反射金属层与对应的半导体发光平台之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于錼创显示科技股份有限公司,未经錼创显示科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011158468.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的