[发明专利]微型发光二极管显示器有效
申请号: | 202011158468.5 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN112259573B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 陈彦烨;吴志凌 | 申请(专利权)人: | 錼创显示科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 显示器 | ||
本发明提供一种微型发光二极管显示器,其包括第一型半导体基底层、多个半导体发光平台、半导体垫高部、第一接合金属层以及多个第二接合金属层。这些半导体发光平台分散地配置于第一型半导体基底层上。半导体垫高部配置于第一型半导体基底层上,其中半导体垫高部在背对第一型半导体基底层的顶面与这些半导体发光平台在背对第一型半导体基底层的多个顶面为共平面。第一接合金属层配置于半导体垫高部上。这些第二接合金属层分别配置于这些半导体发光平台上。半导体垫高部的顶面形成与第一接合金属层相邻的第一接合面,这些半导体发光平台的这些顶面分别形成与这些第二接合金属层相邻的多个第二接合面,且第一接合面与这些第二接合面为共平面。
技术领域
本发明涉及一种显示器,尤其涉及一种微型发光二极管显示器。
背景技术
在发光二极管显示器中,发光二极管以阵列形式排列。不同的发光二极管之间可以第一型半导体(例如N极)基底层作为共电极,第一型半导体基底层电性连接电路基板(例如TFT显示基板)上对应的电极,每个发光二极管的第二型半导体(例如P极)则分别电性连接电路基板。目前,必须设置垫高金属层,使得第一型半导体基底层对应的接合区域与第二型半导体对应的接合区域共平面。然而,上述的垫高金属层必须通过额外的制程来制造,增加了制程的时间及成本。此外,当发光二极管的尺寸较小时(例如微型发光二极管),垫高金属层本身的膜厚精度要求变高,容易因垫高金属层的膜厚误差而使第二型半导体的接合良率不佳。
发明内容
本发明是针对一种微型发光二极管显示器,降低了制程的时间及成本。
根据本发明一实施例,提供一种微型发光二极管显示器,其包括第一型半导体基底层、多个半导体发光平台、半导体垫高部、第一接合金属层以及多个第二接合金属层。这些半导体发光平台分散地配置于第一型半导体基底层上。半导体垫高部配置于第一型半导体基底层上,其中半导体垫高部在背对第一型半导体基底层的顶面与这些半导体发光平台在背对第一型半导体基底层的多个顶面为共平面。第一接合金属层配置于半导体垫高部上。这些第二接合金属层分别配置于这些半导体发光平台上。半导体垫高部的顶面形成与第一接合金属层相邻的第一接合面,这些半导体发光平台的这些顶面分别形成与这些第二接合金属层相邻的多个第二接合面,且第一接合面与这些第二接合面为共平面。
根据本发明另一实施例,提供一种微型发光二极管显示器,包括第一型半导体基底层、多个半导体发光平台、绝缘垫高部、第一接合金属层以及多个第二接合金属层。多个半导体发光平台分散地配置于第一型半导体基底层上。绝缘垫高部配置于第一型半导体基底层上,其中绝缘垫高部在背对第一型半导体基底层的顶面与这些半导体发光平台在背对第一型半导体基底层的多个顶面为共平面。第一接合金属层配置于绝缘垫高部上。多个第二接合金属层分别配置于这些半导体发光平台上
基于上述,本发明实施例提供的微型发光二极管显示器,具备了半导体垫高部,提供了使第一型半导体对应的接合区域与第二型半导体对应的接合区域共平面的功能,且本发明的半导体垫高部可以借由制造半导体发光平台的制程来制造,换句话说,不需要额外的制程来制造垫高金属层,降低了制程的时间及成本,亦避免了现有技艺中因垫高金属层的膜厚精度导致的接合良率问题。除此之外,本发明另一实施例提供的微型发光二极管显示器,具备了绝缘垫高部,提供了使第一型半导体对应的接合区域与第二型半导体对应的接合区域共平面的功能。
附图说明
图1~图5示出了根据本发明第一实施例至第五实施例的微型发光二极管显示器的部分剖面图;
图6A示出了根据本发明第六实施例的微型发光二极管显示器的平面示意图;
图6B示出了图6A的微型发光二极管显示器延着线I-I’的剖面图;
图7示出了根据本发明第七实施例的微型发光二极管显示器的部分剖面图。
附图标记说明
100、200、300、400、500、600、700:微型发光二极管显示器
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