[发明专利]隔离结构的制作方法、DAC器件及其制作方法

权利要求书

1.一种隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，在所述基底上形成图形化的硬掩模层；

执行干法刻蚀工艺，以所述图形化的硬掩模层为掩模，刻蚀所述基底，在所述基底中形成多个第一沟槽，所述第一沟槽的底面宽度小于开口宽度；

执行湿法刻蚀工艺，继续刻蚀所述基底，使所述第一沟槽在基底表面以下的范围增大而得到第二沟槽，所述第二沟槽的底面宽度大于开口宽度；以及

在所述第二沟槽内填充隔离介质，以在所述基底中形成多个隔离结构，所述隔离结构的上表面宽度小于下表面宽度；

其中，在所述第二沟槽内填充所述隔离介质的步骤包括依次执行的第一沉积工艺、第二沉积工艺、回刻蚀工艺以及第三沉积工艺；通过执行所述第一沉积工艺，在所述第二沟槽的内表面上形成第一隔离介质，所述第一隔离介质填充所述第二沟槽底部的尖角；通过执行所述第二沉积工艺，在所述第二沟槽内填满第二隔离介质；通过执行所述回刻蚀工艺，去除部分所述第二隔离介质，保留位于所述第二沟槽底部的第二隔离介质；通过执行所述第三沉积工艺，在所述第二沟槽内沉积第三隔离介质，所述第三隔离介质覆盖所述第二隔离介质，并填满所述第二沟槽。

2.如权利要求1所述的隔离结构的制作方法，其特征在于，在执行所述干法刻蚀工艺后、执行所述湿法刻蚀工艺前，所述制作方法还包括：

在所述基底上形成保护层，所述保护层覆盖所述第一沟槽的内表面；

去除所述第一沟槽底表面上的所述保护层，并保留所述第一沟槽开口处的所述保护层。

3.如权利要求2所述的隔离结构的制作方法，其特征在于，在所述基底上形成所述保护层采用氮化工艺，所述保护层的材料为氮化硅。

4.如权利要求2所述的隔离结构的制作方法，其特征在于，在执行所述湿法刻蚀工艺后，在所述第二沟槽内填充所述隔离介质前，所述制作方法还包括：去除所述保护层。

5.如权利要求1所述的隔离结构的制作方法，其特征在于，所述第一隔离介质包括多晶硅或氮化硅，所述第二隔离介质和所述第三隔离介质包括氧化硅。

6.如权利要求1所述的隔离结构的制作方法，其特征在于，在所述第二沟槽内沉积所述隔离介质后，所述制作方法还包括：

执行化学机械研磨工艺，去除所述硬掩模层上的所述隔离介质，使得所述隔离介质的上表面与所述硬掩模层的上表面齐平；以及

去除所述硬掩模层。

7.一种DAC器件的制作方法，其特征在于，所述DAC器件包括基底以及在所述基底中形成的多个隔离结构，部分所述隔离结构隔离高压区和低压区，所述隔离结构采用了如权利要求1至6任一项所述的制作方法形成。

8.如权利要求7所述的DAC器件的制作方法，其特征在于，所述高压区设置有高压N型注入区和高压P型注入区，所述高压N型注入区和所述高压P型注入区通过所述隔离结构隔离；和/或，所述低压区设置有低压N型注入区和低压P型注入区，所述低压N型注入区和所述低压P型注入区通过所述隔离结构隔离。

9.如权利要求8所述的DAC器件的制作方法，其特征在于，还包括：

在基底中形成多个所述隔离结构，以限定出所述高压区和所述低压区，并在所述高压区中限定出所述高压N型注入区和所述高压P型注入区，在所述低压区中限定出所述低压N型注入区和所述低压P型注入区；

利用离子注入工艺，对应于所述高压N型注入区在所述基底中形成高压N阱，对应于所述高压P型注入区在所述基底中形成高压P阱，对应于所述低压N型注入区在所述基底中形成低压N阱，对应于所述低压P型注入区在所述基底中形成低压P阱。

10.一种DAC器件，其特征在于，所述DAC器件采用如权利要求7至9任意一项所述的DAC器件的制作方法获得，所述DAC器件包括基底以及在所述基底中形成的高压N阱和高压P阱，所述高压N阱和所述高压P阱通过隔离结构隔离，所述隔离结构的上表面宽度小于下表面宽度。