[发明专利]一种高压LED芯片的深刻蚀方法

权利要求书

1.一种高压LED芯片的深刻蚀方法，其特征在于，所述深刻蚀方法包括：

提供一衬底，所述衬底上设置有外延层，所述外延层在第一方向上至少包括N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层；

基于高压LED芯片的串联级数要求，对所述外延层进行刻蚀，用于暴露出所述N型半导体层，并形成切割道和隔离沟槽；

在所述外延层背离所述衬底的一侧旋涂正性光刻胶，并对所述正性光刻胶至少进行曝光、显影和坚膜操作，以使所述正性光刻胶位于所述切割道和所述隔离沟槽的区域为具有预设角度的斜面，且暴露出部分所述切割道和部分所述隔离沟槽，所述预设角度为40°-60°，且所述外延层的厚度与所述预设角度具有映射关系；

在所述正性光刻胶背离所述衬底的一侧旋涂负性光刻胶，并对所述负性光刻胶至少进行曝光、显影和坚膜操作，以使所述负性光刻胶位于所述高压LED芯片非桥接处的区域为具有垂直面的沟槽，位于所述高压LED芯片的桥接处和所述切割道的区域暴露出具有所述预设角度斜面的正性光刻胶；

以具有所述预设角度斜面的正性光刻胶为掩膜，对所述高压LED芯片的桥接处和所述切割道进行深刻蚀处理，以及以具有垂直面的负性光刻胶为掩膜，对所述高压LED芯片的非桥接处同时进行深刻蚀处理。

2.根据权利要求1所述的深刻蚀方法，其特征在于，所述正性光刻胶的厚度为10um-18um。

3.根据权利要求1所述的深刻蚀方法，其特征在于，所述深刻蚀方法还包括：

在对所述正性光刻胶进行曝光之前，对所述正性光刻胶进行软烤处理；

其中，软烤温度为90℃-100℃，软烤时间为100s-300s。

4.根据权利要求1所述的深刻蚀方法，其特征在于，对所述正性光刻胶的曝光量为270mj-400mj；

对所述正性光刻胶的显影时间为20s-160s；

对所述正性光刻胶的坚膜温度为100℃-140℃，坚膜时间为15min-40min。

5.根据权利要求1所述的深刻蚀方法，其特征在于，所述深刻蚀方法还包括：

在对所述负性光刻胶曝光之后，对所述负性光刻胶进行烘烤处理；

其中，烘烤温度为90℃-100℃，烘烤时间为100s-300s。

6.根据权利要求1所述的深刻蚀方法，其特征在于，对所述负性光刻胶的曝光量为100mj-200mj；

对所述负性光刻胶的显影时间为60s-100s。

7.根据权利要求1所述的深刻蚀方法，其特征在于，在完成深刻蚀处理之后，所述高压LED芯片桥接处的上底宽为15um-25um，下底宽为6um-12um。

8.根据权利要求1所述的深刻蚀方法，其特征在于，在完成深刻蚀处理之后，所述高压LED芯片非桥接处的上底宽为4um-6um，下底宽为4um-6um。

9.根据权利要求1所述的深刻蚀方法，其特征在于，在完成深刻蚀处理之后，所述高压LED芯片切割道的上底宽为10μm-16μm，下底宽为3μm-6μm。