[发明专利]一种高压LED芯片的深刻蚀方法

说明书

本发明提供了一种高压LED芯片的深刻蚀方法，采用两次匀胶两次曝光两次显影等操作之后，以具有所述预设角度斜面的正性光刻胶为掩膜，对所述高压LED芯片的桥接处和所述切割道进行深刻蚀处理，以及以具有垂直面的负性光刻胶为掩膜，对所述高压LED芯片的非桥接处同时进行深刻蚀处理。实现了一次深刻蚀出不同角度和不同线宽的隔离沟槽，以及在不改变切割道宽度的情况下实现全刻开处理，且具有一定的倒角，从而有效增加了高压LED芯片的发光面积占比，增加芯片的出光效率以及COW无需设置特殊测试芯片。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，更具体地说，涉及一种高压LED芯片的深刻蚀方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)是一种半导体发光器件，利用半导体P-N结电致发光原理能够将电能转化为光能，其具有体积小、功耗低和寿命长等优点，现已广泛应用于各种场景照明、背光和车灯等领域。

随着行业的不断发展，一种新型的高压(High Voltage，简称HV)LED芯片备受关注，与普通的LED相比，集成高压LED能减小封装成本，减少元件数和焊点数，可靠性较高，并且，其电流小，电压高，无需大幅度的进行电压转换，变压损耗小，驱动设计简单，散热要求低。

但是，目前高压LED芯片的发光面积占比较低，导致其发光效率较低。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种高压LED芯片的深刻蚀方法，技术方案如下：

一种高压LED芯片的深刻蚀方法，所述深刻蚀方法包括：

提供一衬底，所述衬底上设置有外延层，所述外延层在第一方向上至少包括N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层；

基于高压LED芯片的串联级数要求，对所述外延层进行刻蚀，用于暴露出所述N型半导体层，并形成切割道和隔离沟槽；

在所述外延层背离所述衬底的一侧旋涂正性光刻胶，并对所述正性光刻胶至少进行曝光、显影和坚膜操作，以使所述正性光刻胶位于所述切割道和所述隔离沟槽的区域为具有预设角度的斜面，且暴露出部分所述切割道和部分所述隔离沟槽；

在所述正性光刻胶背离所述衬底的一侧旋涂负性光刻胶，并对所述负性光刻胶至少进行曝光、显影和坚膜操作，以使所述负性光刻胶位于所述高压LED芯片非桥接处的区域为具有垂直面的沟槽，位于所述高压LED芯片的桥接处和所述切割道的区域暴露出具有所述预设角度斜面的正性光刻胶；

以具有所述预设角度斜面的正性光刻胶为掩膜，对所述高压LED芯片的桥接处和所述切割道进行深刻蚀处理，以及以具有垂直面的负性光刻胶为掩膜，对所述高压LED芯片的非桥接处同时进行深刻蚀处理。

可选的，在上述深刻蚀方法中，所述正性光刻胶的厚度为10um-18um。

可选的，在上述深刻蚀方法中，所述深刻蚀方法还包括：

在对所述正性光刻胶进行曝光之前，对所述正性光刻胶进行软烤处理；

其中，软烤温度为90℃-100℃，软烤时间为100s-300s。

可选的，在上述深刻蚀方法中，对所述正性光刻胶的曝光量为270mj-400mj；

对所述正性光刻胶的显影时间为20s-160s；

对所述正性光刻胶的坚膜温度为100℃-140℃，坚膜时间为15min-40min。

可选的，在上述深刻蚀方法中，所述深刻蚀方法还包括：

在对所述负性光刻胶曝光之后，对所述负性光刻胶进行烘烤处理；