[发明专利]半导体设备封装及其制造方法在审
申请号: | 202011163754.0 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN112786571A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 陈毅 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L25/00;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体设备 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体设备封装,其包括:
第一衬底;和
第一插入件;
其中所述第一插入件的底表面通过包含间隔件的第一导电粘性层附接到所述第一衬底的顶表面。
2.根据权利要求1所述的半导体设备封装,其中所述第一导电粘性层由包含间隔件的焊接性导电材料制成。
3.根据权利要求2所述的半导体设备封装,其中所述焊接性导电材料包括热固性树脂和导电材料。
4.根据权利要求1所述的半导体设备封装,其中所述间隔件与所述第一衬底和对应的第一插入件直接接触。
5.根据权利要求1所述的半导体设备封装,其中所述第一插入件中的每一个包括在所述第一插入件的所述底表面处的多个衬垫。
6.根据权利要求5所述的半导体设备封装,其中所述衬垫以交错方式布置。
7.根据权利要求5所述的半导体设备封装,其中所述第一插入件中的每一个包括安置于所述第一插入件的所述底表面处且覆盖所述衬垫外围的绝缘层,所述绝缘层和所述衬垫中的对应一个界定容纳所述第一导电粘性层的凹部。
8.根据权利要求1所述的半导体设备封装,其进一步包括第二衬底,其中所述第一插入件的顶表面通过第二导电粘性层附接到所述第二衬底的底表面。
9.根据权利要求8所述的半导体设备封装,其中所述第二导电粘性层由包含间隔件的焊接导电材料制成。
10.根据权利要求1所述的半导体设备封装,其中所述第一衬底的所述顶表面包括一或多个电子组件。
11.根据权利要求8所述的半导体设备封装,其中所述第二衬底的所述底表面包括一或多个电子组件。
12.根据权利要求8所述的半导体设备封装,其中所述第二衬底的所述底表面与所述第一衬底的所述顶表面之间的距离从中心到外围大体上相同。
13.根据权利要求8所述的半导体设备封装,其中所述第二衬底的顶表面包括一或多个电子组件。
14.根据权利要求1所述的半导体设备封装,其进一步包括至少两个彼此分隔开的第一插入件。
15.根据权利要求8所述的半导体设备封装,其进一步包括第二插入件,所述第二插入件通过包含间隔件的第三导电粘性层附接到所述第二衬底的顶表面。
16.根据权利要求15所述的半导体设备封装,其进一步包括包封所述第一衬底、所述第二衬底、所述第一插入件、所述第二插入件、所述第一导电粘性层、所述第二导电粘性层和所述第三导电粘性层的包封层。
17.根据权利要求16所述的半导体设备封装,其中所述包封层具有平面顶表面,且所述第二插入件中的每一个的衬垫从所述包封层的所述顶表面暴露。
18.一种制造半导体设备封装的方法,其包括:
提供第一衬底;
提供插入件;和
形成与所述第一衬底和所述插入件接触的间隔件。
19.根据权利要求18所述的方法,其中形成与所述第一衬底和所述插入件接触的间隔件包括:
将固持器放置在所述插入件的第一表面与所述第一衬底的第一表面之间以界定用于导电粘性层的容纳空间;和
加热所述导电粘性层以形成所述间隔件。
20.根据权利要求19所述的方法,其进一步包括确保所述插入件的所述第一表面与所述第一衬底的所述第一表面之间的距离从所述插入件的中心到所述插入件的外围大体上相同。
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