[发明专利]分栅快闪存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种分栅快闪存储器，其特征在于，所述分栅快闪存储器包括：

一衬底，所述衬底上形成有浮栅层；

一控制栅结构，所述控制栅结构包括第一L型部分和第二L型部分，所述第一L型部分和所述第二L型部分相对且间隔覆盖于所述浮栅上；

一金属硅化层，所述金属硅化层覆盖所述控制栅结构的顶表面；

一擦除栅，所述擦除栅贯穿所述控制栅结构和所述浮栅层；其中，所述第一L型部分和所述第二L型部分设置于所述擦除栅两侧；

一字线栅，所述字线栅设置于所述控制栅结构和所述浮栅层两侧。

2.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述分栅快闪存储器还包括第一侧墙和第二侧墙；其中，所述第一侧墙覆盖所述第一L型部分和所述第二L型部分的第一侧面；所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙表面、部分所述控制栅结构以及所述浮栅层的第一侧面。

3.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述分栅快闪存储器还包括第三侧墙，所述第三侧墙覆盖所述控制栅结构的第二侧面以及所述浮栅层的第二侧面。

4.根据权利要求3所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述字线栅覆盖所述第三侧墙的侧壁。

5.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述分栅快闪存储器还包括源极和漏极；所述源极位于与所述擦除栅相对的所述衬底内，所述漏极位于所述字线栅侧边的所述衬底内。

6.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述分栅快闪存储器还包括ONO膜层和第一氧化层，所述ONO膜层形成于所述浮栅层和所述控制栅结构之间，所述第一氧化层形成于所述浮栅层和所述衬底之间。

7.一种分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层和掩模层；

在所述掩模层中形成沟槽，并暴露部分所述浮栅层；

形成控制栅层，所述控制栅层覆盖所述掩模层及所述沟槽表面；

去除所述沟槽底部的部分所述控制栅层以及所述掩模层上的所述控制栅层，以在所述沟槽内形成控制栅结构，所述控制栅结构包括相对且间隔设置的第一L型部分和第二L型部分；

在所述控制栅结构的顶表面上形成金属硅化层。

8.根据权利要求7所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺在所述掩模层中形成所述沟槽。

9.根据权利要求7所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述沟槽底部的部分所述控制栅层以及所述掩模层上的所述控制栅层。

10.根据权利要求7所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，所述衬底和所述掩模层之间还形成有第一氧化层。

11.根据权利要求7所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，在形成所述控制栅结构之前，所述分栅快闪存储器的制备方法还包括：形成第一侧墙；其中，所述第一侧墙覆盖所述沟槽侧壁上的所述控制栅层。

12.根据权利要求7所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，在形成所述控制栅层之前，所述分栅快闪存储器的制备方法还包括：在所述掩模层及所述沟槽的表面形成ONO膜层。

13.根据权利要求12所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，在形成所述控制栅结构之后，所述分栅快闪存储器的制备方法还包括：去除所述沟槽底部的部分所述ONO膜层以及所述掩模层表面的所述ONO膜层。