[发明专利]一种栅极电路及驱动方法在审
申请号: | 202011164633.8 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN112331149A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 刘振东;阮桑桑;刘汉龙;郭智宇;郑聪秀;钟慧萍 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | G09G3/3266 | 分类号: | G09G3/3266;G09G3/36 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐剑兵;林祥翔 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 栅极 电路 驱动 方法 | ||
1.一种栅极电路,其特征在于,包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5和电容;
所述晶体管T1的栅极连接栅极线Gn-1,所述晶体管T1的源极连接FW,所述晶体管T1的漏极连接Q点;
所述晶体管T5的栅极连接栅极线Gn+1,所述晶体管T5的源极连接BW,所述晶体管T5的漏极连接所述Q点;
所述晶体管T4的栅极连接所述Q点,所述晶体管T4的源极连接CK1,所述晶体管T4的漏极连接栅极线Gn;
所述电容包括第一极板和第二极板,所述第一极板连接所述Q点,所述第二极板连接栅极线Gn;
所述晶体管T2的栅极连接CK2,所述晶体管T2的源极连接所述Q点,所述晶体管T2的漏极连接VGL;
所述晶体管T3的栅极连接所述CK2,所述晶体管T3的源极连接所述栅极线Gn,所述晶体管T3的漏极连接VGL。
2.根据权利要求1所述的一种栅极电路,其特征在于,所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5和电容均设置在显示面板上。
3.根据权利要求2所述的一种栅极电路,其特征在于,所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5和电容均位于显示面板的显示区的中部。
4.根据权利要求2所述的一种栅极电路,其特征在于,所述显示面板为OLED显示面板或者LCD显示面板。
5.根据权利要求1所述的一种栅极电路,其特征在于,还包括驱动IC,所述栅极电路连接驱动IC。
6.根据权利要求1所述的一种栅极电路,其特征在于,晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5均为薄膜晶体管。
7.一种栅极电路驱动方法,其特征在于,应用于权利要求1至6任意一项所述的栅极电路,包括正扫步骤:
在预充阶段,FW写入高电位,BW写入低电位,栅极线Gn-1写入高电位,栅极线Gn写入低电位,栅极线Gn+1写入低电位,CK1写入高电位,CK2写入低电位;
在输出阶段,FW写入高电位,BW写入低电位,栅极线Gn-1写入低电位,栅极线Gn写入高电位,栅极线Gn+1写入低电位,CK1写入低电位,CK2写入高电位;
在下拉阶段,FW写入高电位,BW写入低电位,栅极线Gn-1写入低电位,栅极线Gn写入低电位,栅极线Gn+1写入高电位,CK1写入高电位,CK2写入低电位;
在下拉稳压阶段,FW写入高电位,BW写入低电位,栅极线Gn-1写入低电位,栅极线Gn写入低电位,栅极线Gn+1写入低电位,CK1先写入低电位,然后CK1呈现高电位与低电位的周期性变化,CK2先写入高电位,然后CK2呈现低电位与高电位的周期性变化;
在预充阶段、输出阶段、下拉阶段和下拉稳压阶段中,VGL提供一个稳定电压。
8.根据权利要求7所述的一种栅极电路驱动方法,其特征在于,还包括反扫步骤:
在预充阶段,FW写入低电位,BW写入高电位,栅极线Gn+1写入高电位,栅极线Gn写入低电位,栅极线Gn-1写入低电位,CK1写入低电位,CK2写入高电位;
在输出阶段,FW写入低电位,BW写入高电位,栅极线Gn+1写入低电位,栅极线Gn写入高电位,栅极线Gn-1写入低电位,CK1写入高电位,CK2写入低电位;
在下拉阶段,FW写入低电位,BW写入高电位,栅极线Gn+1写入低电位,栅极线Gn写入低电位,栅极线Gn-1写入高电位,CK1写入低电位,CK2写入高电位;
在下拉稳压阶段,FW写入低电位,BW写入高电位,栅极线Gn-1写入低电位,栅极线Gn写入低电位,栅极线Gn+1写入低电位,CK1先写入高电位,然后CK1呈现低电位与高电位的周期性变化,CK2先写入低电位,然后CK2呈现高电位与低电位的周期性变化;
在预充阶段、输出阶段、下拉阶段和下拉稳压阶段中,VGL提供一个稳定电压。
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