[发明专利]一种栅极电路及驱动方法在审

专利信息
申请号: 202011164633.8 申请日: 2020-10-27
公开(公告)号: CN112331149A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 刘振东;阮桑桑;刘汉龙;郭智宇;郑聪秀;钟慧萍 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: G09G3/3266 分类号: G09G3/3266;G09G3/36
代理公司: 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 代理人: 徐剑兵;林祥翔
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 栅极 电路 驱动 方法
【说明书】:

发明公布一种栅极电路及驱动方法,其中栅极电路包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5和电容;晶体管T1的栅极用于连接栅极线Gn‑1,晶体管T1的漏极连接Q点;晶体管T5的栅极用于连接栅极线Gn+1,晶体管T5的漏极连接Q点;晶体管T4的栅极连接所述Q点,晶体管T4的源极用于连接CK1,晶体管T4的漏极用于连接栅极线Gn;电容的第一极板连接Q点,电容的第二极板连接栅极线Gn;晶体管T2的栅极用于连接CK2,晶体管T2的源极连接Q点;晶体管T3的栅极用于连接CK2,晶体管T3的源极用于连接所述栅极线Gn。上述技术方案在单位空间内进一步提高了屏幕的屏占比。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种栅极电路及驱动方法。

背景技术

全面屏是超高屏占比设计的一个比较宽泛的定义,也就是让显示模组的正面全部都是屏幕,模组的四个边框位置都是采用无边框设计,追求接近100%的屏占比。

目前,为了提高屏幕的屏占比,缩减屏幕的边框已经成为当前技术发展的必然趋势。在AM-LCD(有源驱动液晶显示屏)和AM-OLED(有源驱动有机发光二极管)中每个子像素具有一个晶体管,晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor,缩写TFT),晶体管控制子像素的开启和关闭。体管的栅极(Gate)连接至水平方向的扫描线(也称为栅极线),若在水平方向的某一条扫描线上施加足够的正电压,会使得该条扫描线上所有的TFT打开。在进行栅极电路的驱动时,目前主要有两种方法:一是显示面板外绑定驱动IC(集成电路);另一就是通过GIP(栅极电路在基板上,也称作栅极电路)技术来完成。请参阅图1,但是目前的栅极电路主要集中在显示面板的左端和右端,由于栅极电路的结构限制,显示面板1的左端和右端必须预留一定的空间来放置栅极电路2,驱动IC3设置在屏幕的底端,这样就降低了屏幕的显示区11的屏占比。

发明内容

为此,需要提供一种栅极电路及驱动方法,解决如何优化栅极电路结构的问题。

为实现上述目的,本实施例提供了一种栅极电路,包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5和电容;

所述晶体管T1的栅极连接栅极线Gn-1,所述晶体管T1的源极连接FW,所述晶体管T1的漏极连接Q点;

所述晶体管T5的栅极连接栅极线Gn+1,所述晶体管T5的源极连接BW,所述晶体管T5的漏极连接所述Q点;

所述晶体管T4的栅极连接所述Q点,所述晶体管T4的源极连接CK1,所述晶体管T4的漏极连接栅极线Gn;

所述电容包括第一极板和第二极板,所述第一极板连接所述Q点,所述第二极板连接栅极线Gn;

所述晶体管T2的栅极连接CK2,所述晶体管T2的源极连接所述Q点,所述晶体管T2的漏极连接VGL;

所述晶体管T3的栅极连接所述CK2,所述晶体管T3的源极连接所述栅极线Gn,所述晶体管T3的漏极连接VGL。

进一步地,所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5和电容均设置在显示面板上。

进一步地,所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5和电容均位于显示面板的显示区的中部。

进一步地,所述显示面板为OLED显示面板或者LCD显示面板。

进一步地,还包括驱动IC,所述栅极电路连接驱动IC。

进一步地,晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5均为薄膜晶体管。

本实施例还提供一种栅极电路驱动方法,应用于上述任意一项实施例所述的栅极电路,包括正扫步骤:

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