[发明专利]复合材料、发光二极管和发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种复合材料，其特征在于，包括主体材料和掺杂材料，且所述主体材料包括咔唑类有机物，所述掺杂材料选自蓝光磷光小分子材料。

2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述咔唑类有机物选自聚(3-羰基-9-乙基咔唑)、聚乙烯基咔唑和聚(3-羰基-9-对甲苯基咔唑)中的一种或多种，

所述蓝光磷光小分子材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合镧、4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铕、4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合钆、4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铈、4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合钕、4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合镨中的一种或多种。

3.如权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述主体材料和所述掺杂材料的质量比为10:1～10:8。

4.如权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料由所述咔唑类有机物和双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱组成。

5.一种发光二极管，其特征在于，包括发光层和空穴传输层，所述空穴传输层包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层比所述第二空穴传输层远离所述发光层，

所述第一空穴传输层的材料为第一空穴传输材料，所述第二空穴传输层的材料包括权利要求1至4任一项所述的复合材料，且所述掺杂材料的HOMO能级小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级。

6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第一空穴传输层的材料为芳胺类有机物，所述第一空穴传输层的厚度为5～20nm，所述第二空穴传输层的厚度为10～40nm。

7.如权利要求5或6所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括电子传输层，所述电子传输层设置在所述发光层背离所述空穴传输层的一侧，

所述电子传输层的厚度为所述空穴传输层的厚度的50％～70％，

所述电子传输层的材料为氧化锌纳米颗粒。

8.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

依次形成第一空穴传输层、第二空穴传输层和发光层，或依次形成所述发光层、所述第二空穴传输层和所述第一空穴传输层，

其中，所述第一空穴传输层的材料为第一空穴传输材料，所述第二空穴传输层的材料包括权利要求1至4任一项所述的复合材料，且所述掺杂材料的HOMO能级小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一空穴传输层材料为芳胺类有机物，

溶解所述第一空穴传输层材料的溶剂与溶解所述复合材料的溶剂互为正交溶剂。

10.如权利要求9所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，溶解所述第一空穴传输材料的溶剂选自氯苯、氯仿和邻二氯苯中的一种或多种，

溶解所述复合材料的溶剂选自1,4-二氧六环、间二甲苯、邻二甲苯和对二甲苯中的一种或多种。