[发明专利]复合材料、发光二极管和发光二极管的制备方法

说明书

本申请涉及显示技术领域领域，提供了一种复合材料、发光二极管和发光二极管的制备方法。所述复合材料，包括主体材料和掺杂材料，且所述主体材料包括咔唑类有机物。本申请提供的复合材料，主体材料包括咔唑类有机物，作为空穴传输材料使用时，可以提高空穴传输材料的传输效率。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种复合材料，一种发光二极管，以及一种发光二极管的制备方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种常用的发光器件，其通过电子与空穴复合释放能量发光。按照发光材料的不同，发光二极管通常分为有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes，QLED)。纳米氧化锌颗粒作为发光二极管的电子传输材料，具有很高的电子迁移率，较传统聚合物空穴传输材料的空穴迁移率要大1至2个数量级。电子和空穴迁移率之间的差异，导致发光二极管器件中电子注入速率过快、电子注入量过大，由此引发非辐射俄歇复合及工作电压升高等一系列，影响器件发光效率和不稳定。

发明内容

本申请的目的在于提供一种复合材料，一种发光二极管和一种发光二极管的制备方法，旨在解决现有的空穴传输材料的空穴传输效率与电子传输材料料的电子传输效率不匹配，导致电子与空穴的注入效率差异大，载流子注入失衡，影响器件发光效率的问题。

为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种复合材料，包括主体材料和掺杂材料，且所述主体材料包括咔唑类有机物。

第二方面，本申请提供一种发光二极管，包括发光层和空穴传输层，所述空穴传输层包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层比所述第二空穴传输层远离所述发光层，

所述第一空穴传输层的材料为第一空穴传输材料，所述第二空穴传输层的材料包括主体材料和掺杂材料，且所述掺杂材料的HOMO能级小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级。

第三方面，本申请提供一种发光二极管的制备方法，所述方法包括以下步骤：

获取第一空穴传输层，在所述第一空穴传输层的一侧表面制备第二空穴传输层，其中，所述第一空穴传输层的材料为第一空穴传输材料，所述第二空穴传输层的材料包括主体材料和掺杂材料，且所述掺杂材料的HOMO能级小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级；

在所述第二空穴传输层背离所述第一空穴传输层的表面制备发光层；或

获取发光层，在所述发光层的一侧表面制备第二空穴传输材料，制备第二空穴传输层；

在所述第二空穴传输层背离所述发光层的表面制备第一空穴传输层，其中，所述第一空穴传输层的材料为第一空穴传输材料，所述第二空穴传输层的材料包括主体材料和掺杂材料，且所述掺杂材料的HOMO能级小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级。

本申请提供的复合材料，包括主体材料，且所述主体材料包括咔唑类有机物。咔唑类有机物具有较深的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)能级，将复合材料作为空穴传输材料使用时，咔唑类有机物能够有效降低空穴传输层与阳极端特别是降低空穴传输层与空穴注入层之间的能级势垒，促进空穴的传输，从而有利于提高空穴迁移速率，进而平衡空穴迁移和电子迁移，最终提高器件的光电效率。