[发明专利]基板的制作方法、基板和显示装置有效
| 申请号： | 202011164703.X | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112309989B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 朱小光;李成 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;G09F9/30;G09F9/33;G09F9/35 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 何辉 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作方法 显示装置 | ||
1.一种基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底具有预设安装区域，所述预设安装区域用于安装预设器件，所述预设安装区域为设置在所述衬底中的通孔；
在所述衬底上设置第一柔性基底层，并使所述第一柔性基底层的剥离层与所述预设安装区相对设置；
在所述第一柔性基底层的所述剥离层上形成第一缓冲层，并在所述第一柔性基底层除所述剥离层外的区域上设置第二缓冲层；
在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层上设置第二柔性基底层，其中所述第二缓冲层与所述第二柔性基底层的粘接强度大于所述第一缓冲层与所述第二柔性基底层的粘接强度；
将所述第一缓冲层和所述剥离层从所述第二柔性基底层上移除。
2.根据权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的组成材料包括有机物。
3.根据权利要求2所述的基板的制作方法，其特征在于，所述有机物包括非晶硅。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的基板的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的耐热的温度范围在0到475摄氏度之间。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的基板的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度范围为40至60埃米之间。
6.根据权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述第二缓冲层的组成材料包括无机物。
7.根据权利要求6所述的基板的制作方法，其特征在于，所述无机物包括一氧化硅SiO。
8.根据权利要求1-3任意一项所述的基板的制作方法，其特征在于，在所述第一柔性基底层的所述剥离层上形成第一缓冲层，并在所述第一柔性基底层除所述剥离层外的区域上设置第二缓冲层步骤还包括：
在所述第一缓冲层上形成所述第二缓冲层；
所述在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层上设置第二柔性基底层步骤包括：
在所述第二缓冲层上设置所述第二柔性基底层。
9.一种基板，其特征在于，所述基板采用如权利要求1-8任意一项所述的制作方法制备。
10.一种显示装置，其特征在于，包括显示面板和如权利要求9所述的基板，其中所述显示面板设置在所述第二柔性基底层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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