[发明专利]梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点有效
申请号: | 202011164910.5 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN114479862B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 庞代文;朱小波;朱东亮;董博然;郭三维;徐越;朱晓亮 | 申请(专利权)人: | 武汉珈源同创科技有限公司 |
主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人: | 吴航 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 梯度 合成 cdse 量子 方法 | ||
1.一种梯度变温合成CdSe量子点的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将Cd源、Se源、配位溶剂和非配位溶剂混合,得到混合溶液;
S2、将步骤S1的混合溶液升温至第一温度进行保温,然后降温至第二温度进行保温,得到含有量子点晶核的混合溶液;
S3、将步骤S2的混合溶液升温至第三温度进行保温;
S4、将步骤S3的混合溶液升温至第四温度进行保温,形成CdSe量子点;
其中,所述第一温度和所述第二温度的温度差为10-30℃;从所述第一温度降温至所述第二温度的时间为1-5 min;所述第二温度为60-90℃,在所述第二温度进行保温的时间为5-15 min;所述第一温度为90-120℃,在所述第一温度进行保温的时间为5-15 min;所述第三温度为180-220℃,在所述第三温度进行保温的时间为5-15 min;所述第四温度为230-280℃,在所述第四温度进行保温的时间为5-15 min;升温至所述第一温度的升温速率、升温至所述第三温度的升温速率和升温至所述第四温度的升温速率为5-10℃/min;步骤S1、步骤S2、步骤S3和步骤S4均在惰性气体氛围的保护下进行。
2.根据权利要求1所述的梯度变温合成CdSe量子点的方法,其特征在于,所述Cd源为二甲基镉、二乙基镉、氧化镉、碳酸镉、二水乙酸镉、乙酰丙酮镉、氟化镉、氯化镉、碘化镉、溴化镉、高氯酸镉、磷化镉、硝酸镉、硫酸镉、羧酸镉、油酸镉中的一种或多种;
所述Se源为TOP-Se、TBP-Se、ODE-Se中的一种或多种;
所述非配位溶剂为十八烯、十六烯、十四烷、十六烷、十八烷、石蜡油中一种或多种;
所述配位溶剂为饱和脂肪酸、饱和脂肪胺、不饱和脂肪酸与不饱和脂肪胺中的一种或多种。
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