[发明专利]一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法

权利要求书

1.一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，具体按照如下步骤实施：

步骤1，将钼酸铵进行焙解处理，得到高纯三氧化钼粉末；

步骤2，将步骤1得到的高纯三氧化钼粉末装入模具内，进行气氛保护热压处理，得到高致密度三氧化钼坯料；

步骤3，将步骤2得到的高致密度三氧化钼坯料在空气氛马弗炉内进行二次补氧；

步骤4，将经过二次补氧处理的坯料进行机械加工和清洗，最终得到高纯三氧化钼靶材；

步骤2所述的气氛保护热压烧结的温度为400℃～650℃，压强为30MPa～500MPa，时间为15min～240min，保护气氛为：惰性气体；

步骤3中所述的在空气气氛马弗炉内进行二次补氧处理，马弗炉内温度为400℃-600℃，补氧处理时间为15min-120min。

2.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的钼酸铵为二钼酸铵、四钼酸铵、七钼酸铵、八钼酸铵、十二钼酸铵中的一种或几种的混合物。

3.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，步骤1中所述焙解处理过程为对钼酸铵进行高温处理发生分解反应，得到高纯三氧化钼的过程，所述高温处理的温度范围在300-600℃，气氛为空气，焙解时间为20min-120min。

4.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，步骤1中所述的高纯三氧化钼纯度至少为99.95％，平均粒径为0.5μm～50μm。

5.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气或氮气。

6.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，步骤2所述的高致密度三氧化钼坯料的致密度不小于98.5％。

7.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，步骤4中最终得到的三氧化钼靶材的纯度不小于99.95％，致密度不小于98.5％。