[发明专利]一种离线银基Low-e玻璃及其制备方法在审
| 申请号： | 202011167681.2 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112194385A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 刘霄枫;曾小绵;姜磊;陈天宝;刘思睿;张碧辉 | 申请（专利权）人： | 长兴旗滨节能玻璃有限公司;浙江旗滨节能玻璃有限公司;湖南旗滨节能玻璃有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36;B32B17/10;B32B27/30;B32B7/12;B32B37/12;B32B33/00;C03C27/12 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 关向兰 |
| 地址： | 313000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离线 low 玻璃 及其 制备 方法 | ||
1.一种离线银基Low-e玻璃，其特征在于，包括玻璃基底和设置在所述玻璃基底上的膜层，所述膜层包括：
多个电介质层，所述多个电介质层包括设置在所述玻璃基底上的第一电介质层，所述第一电介质层为SiZrNx和/或SiZrAlNx；
功能层，所述功能层两侧分别设置有第一保护层和第二保护层。
2.如权利要求1所述的一种离线银基Low-e玻璃，其特征在于，所述多个电介质层还包括：
第二电介质层，所述第二电介质层设置在所述第一电介质层上，所述第一保护层设置在所述第二电介质层上；
第三电介质层，所述第三电介质层设置在所述第二保护层上。
3.如权利要求2所述的一种离线银基Low-e玻璃，其特征在于，所述第二电介质层和所述第三电介质层为SiNx。
4.如权利要求2所述的一种离线银基Low-e玻璃，其特征在于，所述膜层还包括：
介质保护层，所述介质保护层设置在所述第三电介质层上，所述介质保护层为ZrOx。
5.如权利要求1所述的一种离线银基Low-e玻璃，其特征在于，所述第一电介质层厚度为10～15nm。
6.如权利要求1至5任一项所述的一种离线银基Low-e玻璃，其特征在于，所述膜层厚度为136～168nm。
7.一种夹层玻璃，其特征在于，包括：钢化玻璃和权利要求1至6任一项所述的一种离线银基Low-e玻璃，以及将所述钢化玻璃和所述离线银基Low-e玻璃的膜层粘合的PVB胶片。
8.一种离线银基Low-e玻璃的制备方法，其特征在于，包括：
S1、提供玻璃基底；
S2、在所述玻璃基底上通过磁控溅射形成膜层，所述膜层包括多个电介质层，所述多个电介质层包括形成在所述玻璃基底上的第一电介质层，所述第一电介质层为SiZrNx或SiZrAlNx；
S3、磁控溅射形成功能层，在所述功能层的两侧分别形成有第一保护层和第二保护层。
9.如权利要求8所述的一种离线银基Low-e玻璃的制备方法，其特征在于，在磁控溅射形成功能层前还包括：
在所述第一电介质层上镀膜形成第二电介质层，所述第二电介质层上镀膜形成所述第一保护层。
10.如权利要求9所述的一种离线银基Low-e玻璃的制备方法，其特征在于，在形成所述第二保护层之后还包括：
在所述第二保护层上镀膜形成第三电介质层，以及在所述第三电介质层上镀膜形成介质保护层。
11.一种夹层玻璃的制备方法，其特征在于，包括：
S1’、按权利要求8至10任一项所述的制备方法制备得到离线银基Low-e玻璃；
S2’、将所述离线银基Low-e玻璃与钢化玻璃在夹层合片室通过PVB胶片粘合形成所述夹层玻璃。
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