[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202011170199.4 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112750892A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 长谷川尚;小山威;加藤伸二郎;川端康平 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，其具有：
半导体衬底；
场效应晶体管，其配置于所述半导体衬底上，并且用于模拟电路，具备P型栅电极；
层间绝缘膜，其配置于所述场效应晶体管上；以及
氢阻挡金属膜，其在所述层间绝缘膜上配置于所述P型栅电极的上方附近，对氢进行阻挡。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在俯视观察所述半导体衬底时，所述氢阻挡金属膜的面积至少在所述场效应晶体管的有源区中为所述P型栅电极的面积以上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述氢阻挡金属膜为铝合金。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述氢阻挡金属膜为铝合金。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
所述模拟电路是基准电压发生电路。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述基准电压发生电路具有：耗尽型场效应晶体管，其产生恒定电流；以及增强型场效应晶体管，其基于所述恒定电流，产生电压，
所述耗尽型场效应晶体管和所述增强型场效应晶体管中的至少任一个是具备所述P型栅电极的场效应晶体管。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，该半导体装置还具有：
宽区域氢阻挡金属膜，其在所述场效应晶体管为多个的情况下，以在俯视观察所述半导体衬底时覆盖多个所述场效应晶体管的整体或一部分的方式配置于所述氢阻挡金属膜的上方。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，该半导体装置还具有：
宽区域氢阻挡金属膜，其在所述场效应晶体管为多个的情况下，以在俯视观察所述半导体衬底时覆盖多个所述场效应晶体管的整体或一部分的方式配置于所述氢阻挡金属膜的上方。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
在所述P型栅电极的上部形成有金属硅化物膜。
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
形成场效应晶体管，该场效应晶体管配置于半导体衬底上，并且用于模拟电路，具备P型栅电极；
在所述场效应晶体管上形成层间绝缘膜；以及
在所述层间绝缘膜上，在所述P型栅电极的上方附近，形成对氢进行阻挡的氢阻挡金属膜。
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