[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(100)具有：半导体衬底(1)；场效应晶体管(120)，其配置于半导体衬底(1)上，并且用于模拟电路，具备P型栅电极(7)；层间绝缘膜(8)，其配置于场效应晶体管(120)上；以及氢阻挡金属膜(10)，其在层间绝缘膜(8)上配置于P型栅电极(7)的上方附近，对氢进行阻挡。

技术领域

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

在硅等的半导体衬底上形成微细元件的半导体装置中，有一种组合了MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属-绝缘体-半导体场效应晶体管)、电阻元件、熔丝元件等半导体元件的模拟用半导体装置。

作为模拟用半导体装置，例如可举出电压调节器、电压检测器和开关调节器等。在这些模拟用半导体装置中，随着可佩戴设备、IoT(Interne to fthe Things：物联网)的发展，开发了通过二次电池等以低电压、低消耗电流能够长时间驱动的装置。特别是在电压调节器等功率管理IC中具备基准电压发生电路的情况下，基准电压的偏差的降低和长期稳定性变得重要。

但是，在用于这样的基准电压发生电路的MISFET中，从钝化膜等产生的氢与在栅氧化膜与硅衬底的界面处存在的悬空键(dangling bond)(非键合方)键合，阈值电压有时在制造时产生偏差，有时经时变化。

因此，例如，为了防止氢扩散到N沟道MOS晶体管等，提出了在N沟道MOS晶体管等上形成有氢屏蔽用的氮化硅膜的半导体装置(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-152100号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的一个方面的目的在于提供一种能够在不增加所形成的膜的情况下抑制由氢引起的不良情况的发生的半导体装置。

用于解决问题的手段

本发明的一个实施方式中的半导体装具有：半导体衬底；场效应晶体管，其配置于所述半导体衬底上，并且用于模拟电路，具备P型栅电极；层间绝缘膜，其配置于所述场效应晶体管上；以及氢阻挡金属膜，其在所述层间绝缘膜上配置于所述P型栅电极的上方附近，对氢进行阻挡。

发明的效果

根据本发明的一个方面，可提供一种能够在不增加形成的膜的情况下抑制由氢引起的不良情况的发生的半导体装置。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式中的半导体装置的模拟电路的电路图。

图2是表示本发明的第一实施方式中的半导体装置的概略俯视图。

图3是表示图2中的A-A线的截面的说明图。

图4是表示图2中的B-B线的截面的说明图。

图5A是表示制造本发明的第一实施方式中的半导体装置的方法的说明图。

图5B是表示制造本发明的第一实施方式中的半导体装置的方法的说明图。

图5C是表示制造本发明的第一实施方式中的半导体装置的方法的说明图。

图6是表示本发明的第一实施方式的变形例的概略俯视图。

图7是表示本发明的第二实施方式中的半导体装置的截面的说明图。

图8是表示本发明的第三实施方式中的半导体装置的截面的说明图。

附图标记说明