[发明专利]切割带和切割芯片接合薄膜在审
| 申请号： | 202011171730.X | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112778921A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 木村雄大;每川英利;武田公平;植野大树;中浦宏 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/29 | 分类号： | C09J7/29;C09J7/30;C09J175/14;C09J133/04;C09J163/00;C09J161/06;C09J11/04;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种切割带，其是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，
所述基材层由具备单一结构或层叠结构的树脂薄膜构成，
所述基材层在100℃下的MD方向的热收缩率为20％以下，且以使用纳米压痕仪在25℃下测得的所述基材层的弹性模量与所述基材层的截面惯性矩之积的形式求出的弯曲硬度为40N·mm2以下。
2.根据权利要求1所述的切割带，其中，针对所述基材层的层叠所述粘合剂层的一侧的表层部，使用纳米压痕仪在25℃下进行测定时的弹性恢复率为75％以下。
3.根据权利要求1或2所述的切割带，其中，针对所述基材层的层叠所述粘合剂层的一侧的表层部，使用纳米压痕仪在25℃下进行测定时的硬度为40MPa以下。
4.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
在基材层上层叠有粘合剂层的切割带；以及
层叠在所述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，
所述基材层由具备单一结构或层叠结构的树脂薄膜构成，
所述基材层在100℃下的MD方向的热收缩率为20％以下，且以使用纳米压痕仪在25℃下测得的所述基材层的弹性模量与所述基材层的截面惯性矩之积的形式求出的弯曲硬度为40N·mm2以下。
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