[发明专利]切割带和切割芯片接合薄膜在审

申请号：	202011171730.X	申请日：	2020-10-28
公开（公告）号：	CN112778921A	公开（公告）日：	2021-05-11
发明（设计）人：	木村雄大;每川英利;武田公平;植野大树;中浦宏	申请（专利权）人：	日东电工株式会社
主分类号：	C09J7/29	分类号：	C09J7/29;C09J7/30;C09J175/14;C09J133/04;C09J163/00;C09J161/06;C09J11/04;H01L21/683
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇;李茂家
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	切割芯片接合薄膜
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，前述基材层由具备单一结构或层叠结构的树脂薄膜构成，前述基材层在100℃下的MD方向的热收缩率为20％以下，且以使用纳米压痕仪在25℃下测得的前述基材层的弹性模量与前述基材层的截面惯性矩之积的形式求出的弯曲硬度为40N·mm²以下。

相关申请的相互引用

本申请要求日本特愿2019-202484号的优先权，通过引用而援引至本申请说明书的记载中。

技术领域

本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。

背景技术

以往已知的是，在半导体装置的制造中，为了获得芯片接合用半导体芯片而使用切割带、切割芯片接合薄膜。

前述切割带是在基材层上层叠粘合剂层而构成的，前述切割芯片接合薄膜是在前述切割带的粘合剂层上以可剥离的方式层叠芯片接合层而构成的。

并且，作为使用前述切割芯片接合薄膜获得芯片接合用的半导体芯片(Die)的方法，已知采用具有下述工序的方法：通过对半导体晶圆进行切割处理而对要加工成芯片(Die)的半导体晶圆形成槽的半切割工序；对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度的背面研磨工序；将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如与电路面相反一侧的面)粘贴于芯片接合层，将半导体晶圆固定于切割带的安装工序；扩大经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔的扩展工序；维持半导体芯片彼此的间隔的切口维持工序；将芯片接合层与粘合剂层之间剥离，在粘贴有芯片接合层的状态下取出半导体芯片的拾取工序；以及使粘贴有芯片接合层的状态的半导体芯片粘接于被粘物(例如安装基板等)的芯片接合工序。

需要说明的是，在前述切口维持工序中，用热风(例如100～130℃)吹向切割带而使切割带发生热收缩后(使其热缩后)，使其冷却固化，维持被切割的相邻半导体芯片间的距离(切口)。

此外，在前述扩展工序中，前述芯片接合层被切割成与经单片化的多个半导体芯片的尺寸相当的大小。

然而，在前述切口维持工序后，有时带芯片接合层的半导体芯片的外周部分从前述粘合剂层的表面鼓起(有时发生芯片浮起)。

为了抑制这种芯片浮起，例如，专利文献1中记载了使用具有特定物性的切割带。

详细记载了使用下述切割带，其至少1个方向的在23℃的温度条件下拉伸30％后的1000秒后的应力松弛率为45％以上，且前述至少一个方向的在23℃的温度条件下拉伸30％后的1000秒后的应力值为4MPa以下。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-16633号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，针对前述切口维持工序后中的芯片浮起的抑制，难说已经进行了充分的研究。

因而，本发明的课题在于，提供能够较为抑制切口维持工序后的芯片浮起的切割带和切割芯片接合薄膜。