[发明专利]功率器件的制作方法及器件

权利要求书

1.一种功率器件的制作方法，其特征在于，包括：

在外延层上形成硬掩模层，所述外延层形成于衬底上，所述衬底所在的平面包括元胞区域和保护环区域，所述元胞区域用于形成所述功率器件，所述保护环区域用于形成所述功率器件的保护环；

对目标区域进行刻蚀，在所述元胞区域的外延层中形成器件沟槽，在所述保护环区域的外延层中形成第一保护环沟槽和第二保护环沟槽，所述第一保护环沟槽的宽度大于其深度，所述第一保护环沟槽的宽度大于所述器件沟槽的宽度，所述第一保护环沟槽的宽度大于所述第二保护环沟槽的宽度；

进行离子注入，所述离子注入的角度为20°至50°，在所述第一保护环沟槽的底部和侧面形成掺杂阱区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护环区域的外延层中形成有至少两个所述第一保护环沟槽。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括氧化层，或，所述硬掩模层包括氧化层和氮化层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一保护环沟槽的宽度大于其深度的两倍。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，在进行所述离子注入时，多次以所述衬底的中心法线为中心旋转所述衬底。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在进行所述离子注入时，至少四次以所述中心法线为中心旋转所述衬底。

7.一种器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底所在的平面包括元胞区域和保护环区域，所述元胞区域用于形成功率器件，所述保护环区域用于形成所述功率器件的保护环；

外延层，所述外延层形成于所述衬底上；

其中，所述元胞区域的外延层中形成有器件沟槽，所述保护环区域的外延层中形成有第一保护环沟槽和第二保护环沟槽，所述第一保护环沟槽的宽度大于其深度，所述第一保护环沟槽的宽度大于所述器件沟槽的宽度，所述第一保护环沟槽的宽度大于所述第二保护环沟槽的宽度；

所述第一保护环沟槽的底部和侧面形成掺杂阱区，所述掺杂阱区是在所述器件的制作过程中，在刻蚀形成所述器件沟槽、所述第一保护环沟槽和所述第二保护环沟槽后，进行注入的角度为20°至50°的离子注入后形成的。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述保护环区域的外延层中形成有至少两个所述第一保护环沟槽。

9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述第一保护环沟槽的宽度大于其深度的两倍。