[发明专利]改善面板的冷却系统水流虚假报警的方法和半导体处理设备有效
申请号: | 202011172510.9 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112240728B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 游明木;李昭;王晓晨;卢山;涂伟峰;谢百强 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | F28F27/02 | 分类号: | F28F27/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 高园园 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 面板 冷却系统 水流 虚假 报警 方法 半导体 处理 设备 | ||
本发明提供一种改善冷却系统水流虚假报警的方法和半导体处理设备,属于半导体集成电路制造设备领域,用于改善冷却系统水流虚假报警的问题。所述改善冷却系统水流虚假报警的方法,所述面板的冷却系统内安装有常开阀门和常闭阀门,所述常开阀门和/或所述常闭阀门由流体驱动启闭,在所述常开阀门和/或所述常闭阀门的本体或其流体供应管道上设置自动泄压结构。本发明方法和半导体处理设备可以使常开阀门和常闭阀门开关速度可以长期保持稳定,而且可以极大降低面板水流虚假报警出现的频率,提高机台正常工作时间。
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造设备领域,特别是涉及一种改善冷却系统水流虚假报警的方法和半导体处理设备。
背景技术
AMAT producer GT3 HARP XT机台为次常压化学汽相沉积(sub-atmosphericchemical vapor depositions,SACVD)机台,其反应温度高且为放热反应,为减少反应物在面板(faceplate) 上发生反应,通常使用55℃的热交换器(heat exchanger)给面板降温,在机台闲置(idle)和沉积(deposition)工作时,55℃冷媒(水:乙二醇=1:1)流经面板来给它降温。在机台进行清洁(clean)工作时,等离子体(plasma)流经面板,此时冷媒走从旁通管道(bypass)直接流回热交换器,停止给面板降温,以避免损耗等离子体降低清洁效果。当前AMAT producer GT3 HARP XT机台使用常开阀门(Normally Open N.O)和常闭阀门(Normally Closed N.C)控制面板冷媒的路径。冷媒流经面板时,常开阀门开启,常闭阀门关;冷媒从旁通管道返回等热交换器时,常开阀门关闭,常闭阀门开启。然而,在机台由闲置(idle)或沉积(deposition) 工作转为清洁(clean)工作时,经常会出现冷却系统面板水流虚假报警,出现“检测到面板水流,但预计没有水流”(faceplate water flow detectedbut no water flow expected)的警报,严重影响半导体器件的制造过程。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种改善冷却系统水流虚假报警的方法和半导体处理设备,用于改善现有半导体设备冷却系统容易出现水流量虚假报警的问题。
为实现上述目的及其它相关目的,本发明提供一种改善冷却系统水流虚假报警的方法,所述面板的冷却系统内安装有常开阀门和常闭阀门,所述常开阀门和/或所述常闭阀门由流体驱动启闭,在所述常开阀门和/或所述常闭阀门的本体或其流体供应管道上设置自动泄压结构。
在本发明方法一示例中,所述流体包括液体或气体。
在本发明方法一示例中,所述流体为气体,所述常开阀门和所述常闭阀门为气动阀门。
在本发明方法一示例中,所述常开阀门和所述常闭阀门的驱动流体相同,并经共用供流管道输入,所述自动泄压结构设置在所述流体供应管道上。
在本发明方法一示例中,所述自动泄压结构包括泄压阀。
在本发明方法一示例中,所述常开阀门和所述常闭阀门分别由不同的流体供应管道驱动,每一所述流体供应管道上均安装有所述自动泄压结构。
在本发明方法一示例中,所述自动泄压结构包括所述常开阀门和/或所述常闭阀门本身具有的自动泄压结构。
在本发明方法一示例中,所述自动泄压结构包括泄压阀。
在本发明方法一示例中,所述冷却系统包括供流管道、回流管道和旁通管道,所述常开阀门安装在所述供流管道上,所述旁通管道的一端连通在所述常开阀门和热交换器之间的所述供流管道上,所述旁通管道的另一端连通在所述回流管道上。
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