[发明专利]显示基板及其制备方法

权利要求书

1.一种显示基板，包括衬底，所述衬底设置有阵列排布的多个像素结构，其特征在于，每一像素结构包括：

第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述衬底的第一布置区；

第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述衬底的第二布置区；

像素电极，所述像素电极设置在所述衬底的第三布置区；

其中，所述第一布置区、所述第二布置区和所述第三布置区沿平行所述衬底的方向并列设置在所述衬底的一侧；所述第一薄膜晶体管为开关晶体管，所述开关晶体管为无机薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管为驱动晶体管，所述驱动晶体管为有机薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管包括自下而上依次层叠第一半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极、相互隔开的第一源极和第一漏极；所述第二薄膜晶体管包括自下而上依次层叠第二栅极、相互隔开的第二源极和第二漏极以及第二栅极绝缘层和第二半导体层；其中，所述第一栅极和所述第二栅极分别设置于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上；所述相互隔开的第一源极和第一漏极和所述相互隔开的第二源极和第二漏极分别形成于所述第二栅极绝缘层远离所述衬底的一侧上；所述第一栅极绝缘层层叠于所述第二栅极绝缘层的下方；所述显示基板还包括像素定义层，所述像素定义层设置于所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述像素电极远离所述衬底的一侧表面上，所述像素定义层包括多个沟道开孔区和多个像素开孔区，每一像素结构中包括一个沟道开孔区和一个像素开孔区，部分所述第二源极和部分第二漏极自所述沟道开孔区中暴露出。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每一像素结构还包括储存电容，所述储存电容包括电容上电极；所述像素电极以及所述电容上电极同层设置于所述第二栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述储存电容还包括电容下电极，所述电容下电极设置于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一贯孔和第二贯孔，所述第一贯孔和所述第二贯孔自上而下依次贯穿所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层，其中，所述第一半导体层的两侧分别从所述第一贯孔和所述第二贯孔中暴露出，所述第一源极填充于所述第一贯孔中，所述第二漏极填充于所述第二贯孔中，使得所述第一源极和所述第一漏极分别解除所述第一半导体层。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述每一像素结构还包括第三贯孔和连接电极，所述第三贯孔贯穿所述第二栅极绝缘层，使得所述第二栅极从所述第三贯孔中暴露出，所述连接电极的一端电连接所述第一漏极，所述连接电极的另一端穿过所述第三贯孔电连接所述第二栅极。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二半导体层形成于所述沟道开孔区中接触部分所述第二源极和部分所述第二漏极，且覆盖于部分所述第二源极、部分所述第二栅极绝缘层以及部分所述第二漏极各自远离所述衬底的一侧表面上，其中，所述第二半导体层为有机半导体层。

7.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板的制备方法包括：

S201、提供衬底，形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管于所述衬底的一侧，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极绝缘层；以及

S202、形成像素电极于所述第二栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上，所述像素电极和所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管并列设置；

S203、形成像素定义层于所述第二栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上，于所述像素定义层中形成多个沟道开孔区和多个像素开口区；所述像素电极从所述像素开口区中暴露出，所述第二薄膜晶体管的部分第二源极和部分第二漏极自所述沟道开孔区中暴露出；

S204、形成所述第二薄膜晶体管的第二半导体层于所述沟道开孔区中，所述第二半导体层接触部分所述第二源极和部分所述第二漏极，且覆盖在部分第二源极、部分所述第二栅极绝缘层和部分所述第二漏极各自远离所述衬底的一侧表面上；

其中，所述第一薄膜晶体管为无机薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管；所述第二半导体层为有机半导体层；

其中，所述S201还包括：

形成第一薄膜晶体管的第一半导体层于所述衬底的一侧；

形成第一薄膜晶体管的第一栅极绝缘层于所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧表面上；

形成第一薄膜晶体管的第一栅极和第二薄膜晶体管的第二栅极于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上；

形成所述第二栅极绝缘层于所述第一栅极和所述第二栅极远离所述衬底的一侧表面上；以及

形成贯穿所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层的第一贯孔和第二贯孔，在所述第一贯孔和所述第二贯孔中分别形成第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极；以及，形成第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极于所述第二栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上，所述第二源极在所述衬底上的投影和所述第二漏极在所述衬底上的投影分别覆盖于所述第二栅极在所述衬底上的投影的两侧；

所述S202还包括：

形成储存电容的电容上电极于所述第二栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上。