[发明专利]显示基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种显示基板及其制备方法，显示基板包括衬底，所述衬底设置有阵列排布的多个像素结构，每一像素结构包括：每一像素结构包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述衬底的第一布置区；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述衬底的第二布置区；像素电极，所述像素电极设置在所述衬底的第三布置区；其中，所述第一布置区、所述第二布置区和所述第三布置区沿平行所述衬底的方向并列设置在所述衬底的一侧；所述第一薄膜晶体管为开关晶体管，所述开关晶体管为无机薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管为驱动晶体管，所述驱动晶体管为有机薄膜晶体管。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别关于一种显示基板及其制备方法。

背景技术

近年，随着有机半导体材料的发现和发展，已经制备出了利用有机材料代替无机材料作为载流子传输的有机薄膜晶体管器件，并且有机薄膜晶体器件的性能正逐步提升。

有机薄膜晶体管(Organic Thin FilmTransistor，OTFT)的基本结构和功能与传统的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基本相同，不同的是有机薄膜晶体管采用了有机半导体作为工作物质。传统的薄膜晶体管，是利用低温多晶硅（P-Si）或者金属氧化物（IGZO）做沟道，形成场效应管。而有机薄膜晶体管则采用有机半导体材料取代低温多晶硅导体材料做沟道，形成场效应管。与现有的非晶硅或多晶硅TFT相比，OTFT具有以下特点：加工温度低，一般在180℃以下，能够适用于柔性显示基板制备；工艺过程大大简化，成本大幅度降低；材料来源广泛，发展潜力大。OTFT有可能在许多电子产品上得到应用，如有源矩阵显示器等。

然而，机薄膜晶体管存在驱动效率低的问题，且现有的机薄膜晶体管显示基板制备工艺容易导致有机半导体损伤。有鉴于此，需要提出一种新的显示基板，以克服现有的制备工艺不合理、驱动效率低的问题。

发明内容

为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本发明提供了一种显示基板及其制作方法。

本发明一实施例中提供一种显示基板，包括基板，所述衬底设置有阵列排布的多个像素结构，每一像素结构包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述衬底的第一布置区；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述衬底的第二布置区；像素电极，所述像素电极设置在所述衬底的第三布置区；其中，所述第一布置区、所述第二布置区和所述第三布置区沿平行所述衬底的方向并列设置在所述衬底的一侧；所述第一薄膜晶体管为开关晶体管，所述开关晶体管为无机薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管为驱动晶体管，所述驱动晶体管为有机薄膜晶体管。

作为可选的技术方案，所述第一薄膜晶体管包括自下而上依次层叠第一半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极、相互隔开的第一源极和第一漏极和第一半导体层；所述第二薄膜晶体管包括自下而上依次层叠第二栅极、相互隔开的第二源极和第二漏极以及第二栅极绝缘层和第二半导体层；其中，所述第一栅极和所述第二栅极分别设置于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上；所述相互隔开的第一源极和第一漏极和所述相互隔开的第二源极和第二漏极分别形成于所述第二栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上；所述第一栅极绝缘层层叠于所述第二栅极绝缘层的下方。

作为可选的技术方案，每一像素结构还包括储存电容，所述储存电容包括电容上电极；所述像素电极以及所述电容上电极同层设置于所述第二栅极绝缘层远离基板的一侧表面上。

作为可选的技术方案，所述储存电容还包括电容下电极，所述电容下电极设置于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上。

作为可选的技术方案，所述第一半导体层的材料为选自低温多晶硅半导体或者金属氧化物半导体。