[发明专利]切割带和切割芯片接合薄膜

说明书

本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，其在‑10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。

相关申请的相互引用

本申请要求日本特愿2019-202485号的优先权，通过引用而援引至本申请说明书的记载中。

技术领域

本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。

背景技术

以往已知的是，在半导体装置的制造中，为了获得芯片接合用半导体芯片而使用切割带、切割芯片接合薄膜。

前述切割带是在基材层上层叠粘合剂层而构成的，前述切割芯片接合薄膜是在前述切割带的粘合剂层上以可剥离的方式层叠芯片接合层而构成的。

并且，作为使用前述切割芯片接合薄膜获得芯片接合用的半导体芯片(Die)的方法，已知采用具有下述工序的方法：通过对半导体晶圆进行切割处理而对要加工成芯片(Die)的半导体晶圆形成槽的半切割工序；对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度的背面研磨工序；将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如与电路面相反一侧的面)粘贴于芯片接合层，将半导体晶圆固定于切割带的安装工序；扩大经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔的扩展工序；维持半导体芯片彼此的间隔的切口维持工序；将芯片接合层与粘合剂层之间剥离，在粘贴有芯片接合层的状态下取出半导体芯片的拾取工序；以及使粘贴有芯片接合层的状态的半导体芯片粘接于被粘物(例如安装基板等)的芯片接合工序。

需要说明的是，在前述切口维持工序中，用热风(例如100～130℃)吹向切割带而使切割带发生热收缩后，使其冷却固化，维持被切割的相邻半导体芯片间的距离(切口)。

此外，在前述扩展工序中，前述芯片接合层被切割成与经单片化的多个半导体芯片的尺寸相当的大小。

对于使用前述那样的切割芯片接合薄膜来获得芯片接合用半导体芯片的方法而言，专利文献1中公开了：通过使用具有特定物性的切割带(-10℃下的初始弹性模量为200MPa以上且380MPa以下、以及-10℃下的Tanδ(损耗弹性模量/储能模量)为0.080以上且0.3以下的切割带)，且在-15～5℃的低温条件下进行前述扩展工序，从而在前述扩展工序中，能够提高由前述半导体晶圆切割成多个半导体芯片的切割性(例如切割容易度、均匀切割性等)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-185591号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，半导体芯片因用途而所需尺寸不同。

并且，半导体芯片的所需尺寸越小，则将相同尺寸的半导体晶圆进行扩展而单片化成多个半导体芯片时，形成于半导体晶圆的槽(切割线)的数量越多，切割线的数量越多，在扩展工序中为了充分拓宽半导体芯片彼此的间隔，越需要进一步拉伸切割带或切割芯片接合薄膜。

因此，根据切割带或切割芯片接合薄膜所具有的物性，在需要进一步拉伸切割带或切割芯片接合薄膜的情况下，有时也无法充分拉伸，其结果，在扩展工序中无法充分拓宽半导体芯片彼此的间隔。即，有时无法由半导体晶圆良好地切割成多个半导体芯片。

此外，在切口维持工序中，有时无法充分维持切口。

然而，对于即使在扩展工序中需要进一步拉伸切割带或切割芯片接合薄膜时、即切割线的数量较多时也能由切割半导体晶圆良好地切割成多个半导体芯片，未进行充分研究。

此外，在切口维持工序中，针对充分维持切口也未进行充分研究。