[发明专利]一种部分氧空位B3+ 有效
| 申请号： | 202011175241.1 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112279257B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 水淼;舒杰;任元龙 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C01B33/32 | 分类号： | C01B33/32;H01M10/054 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 部分 空位 base sup | ||
【权利要求书】：
1.一种部分氧空位B3+掺杂玻璃态钾快离子导体K2O·4SiO2，其特征为：其化学计量式为K2O·4Si1-xBxO2-0.5x，其中：x＝0.01-0.10；常温钾离子电导率超过4·10-4S/cm；其制备过程为将KOH、硼酸、正硅酸按照K2O·4Si1-xBxO2-0.5x，其中：x＝0.01-0.10，的化学计均匀混合，在强烈搅拌的同时加入去离子水至所有的固体物质溶解，记下所加入的去离子水的质量，其后继续加入所记录的去离子水质量3-5倍质量的去离子水并搅拌均匀，将此溶液放入高压反应釜，在通入氩气的条件下搅拌3小时，脱去水中溶解氧；将高压反应釜以5-30℃/分钟的速率升温到350-400℃保温10-20小时后随炉冷却，其后再次以5-30℃/分钟的速率升温到400-450℃保温20-40小时后取出于室温空气中快速冷却；取出高压反应釜中物质，干燥后在氩气气氛中以10-30℃/分钟的速率升温到800-900℃保温0.5-2小时后快速即取出在室温氩气中快速冷却制成该钾快离子导体材料。
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