[发明专利]一种晶圆测试分类方法及系统有效
申请号: | 202011175918.1 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112382582B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 滕为荣;江华;陆毅;张珩 | 申请(专利权)人: | 海光信息技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 300000 天津市滨海新区天津华苑*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测试 分类 方法 系统 | ||
本发明的实施例公开一种晶圆测试分类方法及系统,属于芯片技术领域,本发明的方法在封装步骤之前,包括:获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据;所述测试数据包括目标晶圆在不同温度和电压测试条件下的指定参数测试结果数据;根据获取的指定参数测试结果数据,通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类;根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系,生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图。本发明能够根据晶圆测试参数进行线下分析芯片性能和分类,以达提升最终器件性能水平、满足不同性能功耗的产品规格的需求和提升实际产品生产率的目的。
技术领域
本发明属于芯片技术领域,尤其涉及一种晶圆测试分类方法及系统。
背景技术
在晶圆制造完成之后,需要进行晶圆测试,即在晶圆送到封装工厂之前,需要通过晶圆测试鉴别出其中合格的芯片,晶圆测试是主要的芯片良品率统计方法之一。目前业内通行的技术方案是:晶圆测试分类及数据处理主要由测试程序在芯片测试过程中完成,随后的封装直接按照晶圆测试分类结果切割封装。
可见,现有技术中芯片的分类和封装直接取决于晶圆测试程式的内容和测试结果。但是,现有技术方案的测试流程复杂且成本很高,对于产品性能要求高、封装工艺复杂的复杂芯片产品来说,现有的晶圆测试分类方法已不能满足这些需求。以高性能处理器产品为例,高性能处理器不仅有复杂的产品工艺和多重晶圆测试条件,同时需求不同种类的多芯片封装既要满足高性能要求又要满足细分的产品规格,现有技术方案无法直接满足这些要求。另外,对于多芯片封装的高性能处理器芯片来说,由于水桶效应,其中性能最低的芯片将决定整个器件最终性能指标,如果将合格但是性能不同的芯片随机封装在一起,最终生产出的高性能器件的晶圆级ATE测试(Chip Probing,CP)和封装器件的最终ATE测试(Final Test,FT)良率不可控且不能满足市场需求也不能满足量产要求,同时测试过程中的线上数据处理增加了CP测试成本。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种晶圆测试分类方法及系统,用于解决现有技术不能有效处理性能要求高、生产测试工艺要求复杂的芯片产品的分类,可能造成生产测试成本居高不下、高性能产品规格量产FT良率不可控的问题。本发明能够根据晶圆测试参数进行线下分析芯片性能和分类,以达提升最终器件性能水平、满足不同性能功耗的产品规格的需求和提升实际产品生产率的目的。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,本发明提供一种晶圆测试分类方法,该方法在封装步骤之前,包括:
获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据;所述测试数据包括目标晶圆在不同温度和电压测试条件下的指定参数测试结果数据;
根据获取的指定参数测试结果数据,通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类;
根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系,生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图。
结合第一方面,在第一方面的第一种实施方式中,所述预设芯片分类模型包括至少两个;
在所述根据获取的指定参数测试结果数据,通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类之前,还包括:
接收对预设芯片分类模型的选择;
所述通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类,包括:
通过当前被选择的芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
结合第一方面的第一种实施方式,在第一方面的第二种实施方式中,在所述获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据之前,还包括:
获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据,作为样本数据;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造