[发明专利]一种测试电路的稳压芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011176085.0 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112349703B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 段恋 申请(专利权)人: 广州宝创集成电路设计有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;G01R31/28
代理公司: 佛山市君创知识产权代理事务所(普通合伙) 44675 代理人: 罗伟富
地址: 510700 广东省广州市黄埔区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 测试 电路 稳压 芯片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种测试电路的稳压芯片,包括衬底(1),其特征在于:所述衬底(1)的底端连接有外延边(2),所述外延边(2)的一端均匀嵌入安装有负电极(3),所述外延边(2)的另一端对应负电极(3)位置处均匀嵌入安装有正电极(4),所述衬底(1)的外侧连接有抗干扰层(7),所述抗干扰层(7)的外侧连接有保护层(6),所述保护层(6)的顶端对称开设有凹槽(5),所述抗干扰层(7)的内部均匀嵌入安装有抗干扰颗粒(8),所述衬底(1)的内部底端位置处嵌入安装有光刻硅面(9);

所述负电极(3)和正电极(4)的一端穿过衬底(1)与光刻硅面(9)通过锡焊连接,所述保护层(6)与抗干扰层(7)之间通过热熔连接;

包括电流传输模块、电路测试模块和控制模块,所述传输模块包括电流输入端和电流输出端,所述电路测试模块包括继电器、测试电阻和稳压芯片,所述控制模块包括控制器和微处理器;

所述电路测试模块的输入端和输出端均与电流传输模块的输出端连接,所述控制模块的输出端与电路测试模块的输入端连接;

所述传输模块包括电流输入端和电流输出端,所述电流输入端是指所需测试电路与测试仪的传入端口,所述电流输出端是指测试后电流与测试电路连接的传出端口;

所述电路测试模块包括继电器、测试电阻和稳压芯片,所述继电器是指受到所需测试电路电流的输入刺激,使得测试电路变化的电控制元件,所述测试电阻是指使用多个测试电阻,分别使得电路电流经过测试电阻,对所需测试电路进行多电阻测试,所述稳压芯片是指接收输入稳压芯片的电流,使稳压芯片输出的电流稳定在设定的电压范围内,并输出电路的电压数据;

所述控制模块包括控制器和微处理器,所述控制器是指接收稳压芯片输出的数据,并传输指令控制继电器和微处理器运行,所述微处理器是指接收控制器传输的指令和稳压芯片输出的数据,对所需测试电路的电流信息进行处理。

2.根据权利要求1所述的一种测试电路的稳压芯片的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1、制作晶圆:使用晶圆切片机将硅晶棒切割出晶圆;

S2、晶圆涂膜:在晶圆表面涂覆光阻薄膜;

S3、光刻刻蚀:使用光刻机和蚀刻机,对晶圆中硅表面进行光刻和刻蚀,并注入离子;

S4、包覆外层:对光刻后的芯片表面热熔包覆抗干扰层;

S5、芯片封装;将晶圆固定,嵌入引脚,对芯片进行封装。

3.根据权利要求2所述的一种测试电路的稳压芯片的制备方法,其特征在于,所述S2中,在晶圆表面涂覆光阻薄膜,光阻薄膜涂覆的次数为2-3次,光阻薄膜涂覆的厚度为0.1-0.2mm。

4.根据权利要求2所述的一种测试电路的稳压芯片的制备方法,其特征在于,所述S3中,使用光刻机和蚀刻机,对晶圆中硅表面进行光刻和刻蚀,并注入离子,使得晶圆中硅上刻蚀出N阱和P阱,形成PN结,随后沉淀做出上层金属连接电路。

5.根据权利要求2所述的一种测试电路的稳压芯片的制备方法,其特征在于,所述S5中,将晶圆固定,嵌入引脚,对芯片进行封装,芯片的封装方式为DIP、QFP、PLCC或QFN其中的一种。

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