[发明专利]一种方片边缘堆胶的去除方法

说明书

本发明公开了一种方片边缘堆胶问题的去除方法，属于半导体光刻技术领域。该方法针对玻璃基底方片上的堆胶边缘进行去除，适用于玻璃基底方片。在涂胶过程中，通过化学方式减薄方片边缘区域胶膜厚度，再通过旋转甩开的方式使边缘胶膜厚度与中心位置胶膜厚度高度一致。改进后的旋涂过程，提高了边缘及中心胶膜厚度的一致性，通过调整各项工艺参数，在保证边缘去除效果的前提下提高了方片利用率，并优化了处理边缘堆胶的耗时，起到降本增产的作用。

技术领域

本发明涉及半导体光刻技术领域，具体涉及一种方片边缘堆胶的去除方法。

背景技术

在显示器领域，CRT显示器、LCD显示器、PDP显示器、OLED显示器各种显示器产品市场需求潜力巨大，而玻璃基板是显示面板重要的原材料。其中，玻璃基板中方形基片占据了很大份额，如何提高方片利用率成为方片基板的使用瓶颈，也是决定显示面板产能及效益的重要因素。

光刻是集成电路制造流程中最关键的步骤之一，光刻工艺主要包括涂胶、曝光与显影等，其中，涂胶工艺表面均匀性对后续的曝光显影及整个最终产品的性能都有非常重要的影响。

经生产实践经验发现，方片的表面涂胶均匀性主要受边缘堆胶影响，边缘堆胶极易引发风纹等问题，边缘堆胶主要与方片玻璃基底四周所受离心力不同有关。

目前边缘光刻胶去除的方法分为化学去除和边缘曝光两种方式，各有优缺点：

边缘曝光的优点是生产效率高、装置成本低、过程易于控制、边缘轮廓整齐，缺点是由于光的散射会导致轮廓存在斜坡。对于方片来说，因为片子四周点距中心距离不一致，难以通过晶圆曝光的方式实现方片四周的曝光。

化学去除过程如下：化学去边针头与晶圆表面呈一定角度，至指定位置进行化学液喷洒，喷洒过程中晶圆旋转，从而实现晶圆边缘去除。化学去除较边缘曝光的优点是没有斜坡，缺点是耗时长、溶剂耗材成本高、去除区域的轮廓不平滑。

发明内容

为了克服现有技术中方片涂胶存在边缘堆胶、去除效果差的问题，本发明的目的在于提供一种方片边缘堆胶的去除方法，该方法通过化学方式去除涂胶过程中方片边缘的堆胶，再通过后续的旋转使边缘涂胶均匀性得到明显改善，可使方片边缘堆胶区域由42mm处降到7mm以内，方片利用面积可提高至98％以上。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

一种方片边缘堆胶的去除方法，该方法是针对方片上涂覆的光刻胶进行边缘堆胶去除，具体包括如下步骤：

(1)方片传送至涂胶单元涂覆光刻胶；

(2)在光刻胶涂覆时，采用化学方式对方片边缘区域胶膜进行部分去除，即减薄晶圆边缘区域胶膜厚度，并控制减薄区域的大小；

(3)将方片边缘减薄后，将方片的旋转转速调整至1200r-1400r，旋转5s，使方片减薄的边缘部分重新挂胶，且使减薄区域的胶膜与中心光刻胶厚度一致；

(4)涂覆光刻胶后的方片传送至热板进行后烘处理。

上述步骤(1)中，涂覆的光刻胶粘度为10-30cp，玻璃基底方片上所形成胶膜的厚度为1μm-5μm。

上述步骤(2)中，采用化学方式对方片进行边缘堆胶的去除时：目标去除宽度为W1，设POS1为方片对角线上一点，则W1为POS1到方片外角的距离，设置POS2为在方片对角线上且在方片边缘外侧的点(在方片对角线外)，喷洒化学品(去除液)的针头在POS1和POS2之间进行往复扫描，通过控制化学品流量、针头角度、扫描速度和扫描时间，使方片边缘的光刻胶减薄至其初始厚度的50％～60％。