[发明专利]钝化层测试结构有效
| 申请号： | 202011177837.5 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112185839B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 蒙飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钝化 测试 结构 | ||
1.一种钝化层测试结构，用于测试钝化层的完整性，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底的至少一部分表面上形成有结构层，所述结构层包括多根导电线，所述导电线包括至少一个台阶型结构；所述衬底和所述结构层的表面形成有钝化层。
2.如权利要求1所述的钝化层测试结构，其特征在于，所述导电线包括连续重复设置的若干个台阶型结构或镜像设置的若干个台阶型结构。
3.如权利要求1所述的钝化层测试结构，其特征在于，所述台阶型结构包括相连接的第一底边和第二底边，所述第一底边的长度L1大于所述第二底边的长度L2。
4.如权利要求3所述的钝化层测试结构，其特征在于，所述第一底边的长度L1与最小设计规则X1的关系为L1≥5X1。
5.如权利要求3所述的钝化层测试结构，其特征在于，所述第二底边的长度L2与最小设计规则X2的关系为X2≤L2≤3X2。
6.如权利要求3所述的钝化层测试结构，其特征在于，所述第一底边和所述第二底边的夹角为70°-110°。
7.如权利要求1所述的钝化层测试结构，其特征在于，所述导电线的数量为N，且3≤N≤8，所述导电线相互平行。
8.如权利要求1所述的钝化层测试结构，其特征在于，通过电性测试或化学测试对所述钝化层测试结构进行钝化层的完整性测试。
9.如权利要求8所述的钝化层测试结构，其特征在于，所述电性测试的步骤包括：在所述钝化层的表面形成导电材料层，通过检测所述结构层和所述导电材料层之间的电阻判断所述钝化层是否完整。
10.如权利要求8所述的钝化层测试结构，其特征在于，所述化学测试使用化学溶液腐蚀所述钝化层测试结构，通过观察所述钝化层测试结构被腐蚀后的形貌判断所述钝化层是否完整。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
