[发明专利]钝化层测试结构

说明书

本发明提供了一种钝化层测试结构。所述钝化层测试结构包括：衬底，所述衬底的至少一部分表面上形成有结构层，所述结构层包括多根导电线，所述导电线包括至少一个台阶型结构；所述衬底和所述结构层的表面形成有钝化层。本发明提供的所述钝化层测试结果通过提供一种台阶型的钝化层测试结构，有效地检测了钝化层的特殊位置，尤其是钝化层的拐角区域是否存在缺陷，从而检验了半导体器件中钝化层的完整性。与现有的钝化层测试结构相比，采用本发明提供的钝化层测试结构进行钝化层完整性测试的测试结果具有更高的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种钝化层测试结构。

背景技术

对于高性能高可靠性的集成电路来说，芯片表面的钝化已成为必不可少的工艺措施之一。钝化层主要用于在半导体器件之间和布线之间进行电气隔离，以及将半导体器件与周围环境气氛隔离开来，以增强半导体器件对外来离子玷污的阻挡能力，保护半导体器件内部的互连，防止半导体器件受到机械损伤和化学损伤。

所述钝化层的种类和结构对于互连导线内部形成的应力以及所述应力释放的快慢影响很大。在集成电路的制备过程中，沉积、抛光、光刻等工艺都伴随着温度的变化，所述钝化层的内部应力在温度变化的过程中也随之发生变化，从而形成针孔、裂纹或脱落等缺陷。所述缺陷的出现会引起芯片内部的形变以及互连导线短路或开路，进而导致半导体器件失效。为了避免上述情况，需要对半导体器件进行钝化层的完整性测试，确保所述半导体器件能够正常使用。

为了检查半导体器件的钝化层是否存在所述缺陷，现有技术中通常利用S型(即图1所展示的结构)、叉指型(即图2所展示的结构)或环型结构的钝化层进行钝化层的完整性测试。然而，所述S型、叉指型或环型等的钝化层测试结构无法准确地测量现有工艺中具有特殊结构(例如拐角区域)的钝化层的完整性，因此需要一种新的钝化层测试结构以更好地检测钝化层的完整性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种钝化层测试结构，通过提供一种台阶型的钝化层测试结构，有效检测钝化层的特殊位置，尤其是钝化层的拐角区域是否存在缺陷，从而检验半导体器件中钝化层的完整性。

为了达到上述目的，本发明提供了一种钝化层测试结构，用于测试钝化层的完整性，所述钝化层测试结构包括：

衬底，所述衬底的至少一部分表面上形成有结构层，所述结构层包括多根导电线，所述导电线包括至少一个台阶型结构；所述衬底和所述结构层的表面形成有钝化层。

可选的，所述导电线包括连续重复设置的若干个台阶型结构或镜像设置的若干个台阶型结构。

可选的，所述台阶型结构包括相连接的第一底边和第二底边，所述第一底边的长度L₁大于所述第二底边的长度L₂。

可选的，所述第一底边的长度L₁与最小设计规则X₁的关系为L₁≥5X₁。

可选的，所述第二底边的长度L₂与最小设计规则X₂的关系为X₂≤L₂≤3X₂。

可选的，所述第一底边和所述第二底边的夹角为70°-110°。

可选的，所述导电线的数量为N，且3≤N≤8，所述导电线相互平行。

可选的，通过电性测试或化学测试对所述钝化层测试结构进行钝化层的完整性测试。

可选的，所述电性测试的步骤包括：在所述钝化层的表面形成导电材料层，通过检测所述结构层和所述导电材料层之间的电阻判断所述钝化层是否完整。

可选的，所述化学测试使用化学溶液腐蚀所述钝化层测试结构，通过观察所述钝化层测试结构被腐蚀后的形貌判断所述钝化层是否完整。