[发明专利]半导体存储器件和包括其的设备

权利要求书

1.半导体存储器件，包括：

半导体基板；

在所述半导体基板上在第一方向上延伸的字线；

跨越所述字线延伸的位线结构，所述位线结构在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；

在所述字线之间和在所述位线结构之间的接触垫结构；以及

在所述位线结构和所述接触垫结构之间的间隔物，所述间隔物包括氮化硼层。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述间隔物沿着所述位线结构的一个侧壁在所述第二方向上延伸。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述间隔物围绕所述接触垫结构的至少一部分。

4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述间隔物与所述接触垫结构的至少一部分直接接触。

5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中

所述位线结构包括顺序地堆叠在所述半导体基板上的多晶硅图案、阻挡物/衬垫图案、金属图案、和硬掩模图案，和

所述间隔物对于所述第一方向与所述多晶硅图案、所述阻挡物/衬垫图案、和所述金属图案重叠。

6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述间隔物与所述多晶硅图案、所述阻挡物/衬垫图案、和所述金属图案的至少一种直接接触。

7.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述间隔物配置成对于所述第一方向与所述硬掩模图案的至少一部分重叠。

8.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述氮化硼层在100kHz的工作频率下具有2.5或更小的介电常数。

9.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述氮化硼层包括非晶材料和纳米晶体材料的至少一种。

10.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述氮化硼层是无孔的。

11.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中

所述位线结构包括顺序地堆叠在所述半导体基板上的多晶硅图案、阻挡物/衬垫图案、金属图案、和硬掩模图案，和

所述半导体存储器件进一步包括设置在所述金属图案和所述硬掩模图案之间的封盖层。

12.如权利要求11所述的半导体存储器件，其中所述封盖层包括氮化硼层。

13.如权利要求12所述的半导体存储器件，其中包括在所述封盖层中的所述氮化硼层具有与包括在所述间隔物中的所述氮化硼层的物理性质相同的物理性质。

14.如权利要求11所述的半导体存储器件，其中所述封盖层的末端部分与所述间隔物接触。

15.如权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：

在所述字线上的栅极硬掩模图案；

在所述栅极硬掩模图案上的层间绝缘层；和

在所述层间绝缘层上的绝缘图案，其中

所述层间绝缘层和所述绝缘图案的至少一种包括氮化硼层。

16.如权利要求15所述的半导体存储器件，其中包括在所述层间绝缘层和所述绝缘图案的至少一种中的所述氮化硼层具有与包括在所述间隔物中的所述氮化硼层的物理性质相同的物理性质。

17.如权利要求15所述的半导体存储器件，其中

所述绝缘图案包括所述氮化硼层，且

所述绝缘图案和所述间隔物彼此集成。

18.如权利要求15所述的半导体存储器件，其中所述层间绝缘层与所述间隔物接触。