[发明专利]半导体存储器件和包括其的设备

说明书

提供半导体存储器件和包括其的设备。所述半导体存储器件包括在半导体基板上在第一方向上延伸的字线；在与所述第一方向交叉的第二方向上跨越所述字线延伸的位线结构；在所述字线之间和在所述位线结构之间的接触垫结构；以及在所述位线结构和所述接触垫结构之间的间隔物。所述间隔物包括氮化硼层。

对相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2019年10月29日和2020年5月6日提交的韩国专利申请No.10-2019-0135755和10-2020-0054106的权益，将其公开内容全部通过引用引入本文中。

技术领域

本公开内容涉及包括氮化硼层的半导体存储器件和包括其的装置。

背景技术

由于例如小型化、多功能性和/或低制造成本的特性，半导体存储器件作为电子工业中的重要因素成为大家注意的中心。半导体存储器件可分为存储逻辑数据的半导体存储器件、运行和处理逻辑数据的半导体逻辑器件、以及包括存储元件和逻辑元件的混合半导体存储器件。

通常，半导体存储器件可包括竖直堆叠的图案和用于将竖直堆叠的图案电连接的接触插塞。随着半导体存储器件变得更加高度集成化，在图案之间的间隔和/或在图案和接触插塞之间的间隔正逐渐减小。由于此，在图案之间和/或在图案和接触插塞之间的寄生电容可增加。寄生电容可导致半导体存储器件的性能的降低，例如运行速度的降低。

发明内容

提供包括具有低介电常数的氮化硼层的半导体存储器件和/或包括其的装置。

另外的方面将部分地在随后的描述中阐明，且部分地将由所述描述明晰，或者可通过本公开内容的所呈现的实施方式的实践获悉。

根据实例实施方式，半导体存储器件包括：在半导体基板上在第一方向上延伸的字线；跨越所述字线延伸的位线结构，所述位线结构在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；在所述字线之间和在所述位线结构之间的接触垫结构；以及在所述位线结构和所述接触垫结构之间的间隔物。所述间隔物包括氮化硼层。

在一些实施方式中，所述间隔物可沿着所述位线结构的一个侧壁在所述第二方向上延伸。

在一些实施方式中，所述间隔物可围绕所述接触垫结构的至少一部分。

在一些实施方式中，所述间隔物可与所述接触垫结构的至少一部分直接接触。

在一些实施方式中，所述位线结构可包括顺序地堆叠在所述半导体基板上的多晶硅图案、阻挡物/衬垫图案、金属图案、和硬掩模图案。所述间隔物可对于所述第一方向与所述多晶硅图案、所述阻挡物/衬垫图案、和所述金属图案重叠。

在一些实施方式中，所述间隔物可与所述多晶硅图案、所述阻挡物/衬垫图案、和所述金属图案的至少一种直接接触。

在一些实施方式中，所述间隔物可对于所述第一方向与所述硬掩模图案的至少一部分重叠。

在一些实施方式中，所述氮化硼层在100kHz的工作(运行)频率下可具有2.5或更小的介电常数。

在一些实施方式中，所述氮化硼层可包括非晶材料和纳米晶体材料的至少一种。

在一些实施方式中，所述氮化硼层可为无孔的。

在一些实施方式中，所述位线结构可包括顺序地堆叠在所述半导体基板上的多晶硅图案、阻挡物/衬垫图案、金属图案、和硬掩模图案，和所述半导体存储器件可进一步包括在所述金属图案和所述硬掩模图案之间的封盖层(capping layer)。

在一些实施方式中，所述封盖层可包括氮化硼层。

在一些实施方式中，包括在所述封盖层中的所述氮化硼层可具有与包括在所述间隔物中的所述氮化硼层的物理性质相同的物理性质。