[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

金属基底板，其在正面与中心部分离地设定有配置区；以及

基板，其通过焊锡设置于所述配置区，

所述焊锡的远离所述中心部的端部的厚度比靠近所述中心部的端部的厚度厚。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属基底板翘曲为所述中心部向所述正面的相反侧突出的凸状。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述配置区形成有第一突起部和第二突起部，所述第一突起部形成于靠近所述中心部的一侧的第一形成位置，所述第二突起部形成于相对于所述第一形成位置远离所述中心部的一侧的第二形成位置。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一突起部抵接到所述基板的背面，

所述第二突起部的长度与所述第一突起部的长度相等，所述第二突起部与所述基板的背面分离。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一突起部抵接到所述基板的背面，

所述第二突起部比所述第一突起部长，并且抵接到所述基板的背面。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属基底板的所述配置区以所述中心部为中心对称地设定，

所述基板分别设置于所述配置区。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属基底板的所述配置区从所述中心部沿着预定的方向设定有多个，并且所述基板分别通过所述焊锡设置于所述配置区，

在所述配置区之中从所述中心部沿着所述预定的方向处于最外部的所述配置区中的所述焊锡的远离所述中心部的端部的厚度比靠近所述中心部的端部的厚度厚。

8.一种半导体装置，其特征在于，具有：

金属基底板，其在正面与中心部分离地设定有配置区；以及

基板，其通过焊锡设置于所述配置区，

所述焊锡的远离所述中心部的端部的角焊缝比靠近所述中心部的端部的角焊缝大。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备工序，准备金属基底板和基板，所述金属基底板在正面与中心部分离地设定有配置区，且所述金属基底板呈所述中心部向所述正面侧突出的凸状；

设置工序，通过焊锡将所述基板设置于所述配置区；以及

接合工序，将所述基板的正面的靠近所述中心部的一侧向所述金属基底板侧按压，同时熔融所述焊锡而将所述基板接合于所述配置区。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述配置区形成有第一突起部和第二突起部，所述第一突起部形成于靠近所述中心部的一侧的第一形成位置，所述第二突起部形成于比所述第一形成位置远离所述中心部的一侧的第二形成位置。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一突起部的长度与所述第二突起部的长度相等，

在所述接合工序之后，所述第一突起部抵接到所述基板的背面，所述第二突起部与所述基板的背面分离。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第二突起部比所述第一突起部长，

在所述接合工序之后，所述第一突起部抵接到所述基板的背面，所述第二突起部抵接到所述基板的背面。

13.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述接合工序中，将压锤设置于所述基板的正面的靠近所述中心部的一侧而将所述基板向所述金属基底板侧按压。