[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其维持能够保持一定散热性的焊锡厚度。具有金属基底板(30)和陶瓷电路基板(21)，金属基底板(30)在正面与中心线(CL)分离地设定有配置区，陶瓷电路基板(21)通过焊锡(25a、25b)设置于配置区。此时，焊锡(25a、25b)的远离该中心线(CL)的端部的厚度比靠近该中心线(CL)的端部的厚度厚。在焊锡(25a、25b)的外侧的区域，缩孔的产生得到了抑制。通过这样的制造方法，可抑制焊锡(25a、25b)的量的增加，并且也抑制焊锡(25a、25b)的热阻的增大，还可以防止半导体装置(10)的散热性的降低。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置包括多个基板、分别设置于该多个基板上的半导体元件、以及正面接合于该多个基板的金属基底板。基板包括陶瓷基板、设置于陶瓷基板的背面的金属板和设置于陶瓷基板的正面的电路图案。半导体元件设置于这样的基板的电路图案上。半导体元件是功率器件。功率器件例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。分别设置有这样的半导体元件的多个基板通过焊锡设置于金属基底板上。在半导体装置中，来自发热的半导体元件的热从基板传导到金属基底板来进行散热。为了提高半导体装置的散热性，期望减薄基板与金属基底板之间的焊锡。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-170826号公报

发明内容

技术问题

然而，在半导体装置中，如果使焊锡过薄，则焊锡内部会产生空腔(缩孔)。如果在焊锡内产生缩孔，则该焊锡的导热性降低。其结果，半导体装置的散热性降低，随之导致特性降低。另一方面，如果为了不产生缩孔而加厚焊锡，则无法使散热性提高。

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种可维持焊锡厚度的半导体装置和半导体装置的制造方法，该焊锡厚度能够保持一定散热性。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，其具有：金属基底板，上述金属基底板在正面与中心部分离地设定有配置区；以及基板，其通过焊锡设置于上述配置区，上述焊锡的远离上述中心部的端部的厚度比靠近上述中心部的端部的厚度厚。

另外，根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，其具有：金属基底板，上述金属基底板在正面与中心部分离地设定有配置区；以及基板，其通过焊锡设置于上述配置区，上述焊锡的远离上述中心部的端部的角焊缝比靠近上述中心部的端部的角焊缝大。

另外，根据本发明的一个观点，提供了一种上述半导体装置的制造方法。

技术效果

根据公开的技术，能够维持可保持一定散热性的焊锡厚度来稳定地进行工作。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是第一实施方式的半导体装置的剖视图。

图3是第一半导体装置的制造方法的流程图。

图4是用于说明第一半导体装置的制造方法的针对焊锡接合装置的设置的图。

图5是用于说明第一半导体装置的制造方法的利用焊锡接合装置进行加热的图。

图6是用于说明第一半导体装置的制造方法的利用焊锡接合装置进行冷却的图。

图7是第二实施方式的半导体装置的剖视图。