[发明专利]阵列基板的成型方法、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的成型方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成图案化的第一半导体层，所述第一半导体层包括阵列分布的第一有源结构；

在所述第一半导体层背离所述衬底的一侧形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧形成图案化的第二半导体层，所述第二半导体层包括间隔分布的第二有源结构以及遮挡结构，所述遮挡结构在所述衬底上的正投影至少部分与所述第一有源结构在所述衬底上的正投影相重叠；

在所述第二半导体层背离所述衬底的一侧形成第一金属层；

图案化所述第一金属层，形成阵列分布的第一栅极，所述遮挡结构在所述衬底上的正投影至少部分与所述第一栅极在所述衬底上的正投影相重叠，且所述遮挡结构在所述衬底上的正投影在所述第一方向的两侧分别凸出于所述第一栅极的正投影；

以所述遮挡结构为遮挡层对所述第一有源结构进行离子植入，以形成第一沟道区以及第一掺杂区，所述第一沟道区在第一方向上的两侧分别形成有所述第一掺杂区；

其中，离子植入后的所述第一掺杂区包括轻掺杂区以及重掺杂区，在所述第一方向，所述轻掺杂区位于所述第一沟道区以及所述重掺杂区之间。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的成型方法，其特征在于，所述在所述第二半导体层背离所述衬底的一侧形成第一金属层的步骤之前，所述成型方法还包括：

在所述第二半导体层背离所述衬底的一侧形成第二绝缘层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的成型方法，其特征在于，所述以所述遮挡结构为遮挡层对所述第一有源结构进行离子植入的步骤之前，所述成型方法还包括：

图案化所述第二绝缘层，图案化的所述第二绝缘层包括阵列分布的第一区，所述第一栅极与所述第一区层叠设置，所述第一栅极在所述衬底上的正投影与所述第一区在所述衬底上的正投影相重合。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的成型方法，其特征在于，所述图案化所述第一金属层的步骤包括：

在所述第一金属层上铺设掩模板；

刻蚀所述第一金属层，以形成所述第一栅极；

所述图案化所述第二绝缘层的步骤包括：

利用同一所述掩模板，在刻蚀所述第一金属层后，继续刻蚀所述第二绝缘层，以形成所述第一区。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的成型方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧形成图案化的第二半导体层的步骤之前，所述成型方法还包括：

在所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧形成第一金属层；

图案化所述第一金属层，以形成阵列分布的第一栅极；

在图案化的所述第一金属层背离所述衬底的一侧形成第二绝缘层；

所述在所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧形成图案化的第二半导体层的步骤中，形成的所述第二半导体层层叠设置于所述第二绝缘层，所述遮挡结构在所述衬底上的正投影至少部分与所述第一栅极在所述衬底上的正投影相重叠，且所述遮挡结构在所述衬底上的正投影在所述第一方向的两侧分别凸出于所述第一栅极的正投影；

所述以所述遮挡结构为遮挡层对各所述第一有源结构进行离子植入的步骤中，离子植入后的所述第一掺杂区包括轻掺杂区以及重掺杂区，在所述第一方向，所述轻掺杂区位于所述第一沟道区以及所述重掺杂区之间。