[发明专利]阵列基板的成型方法、阵列基板以及显示装置

说明书

本发明涉及一种阵列基板的成型方法、阵列基板以及显示装置，阵列基板的成型方法，包括：在衬底上形成图案化的第一半导体层，第一半导体层包括阵列分布的第一有源结构；在第一半导体层背离衬底的一侧形成第一绝缘层；在第一绝缘层背离衬底的一侧形成图案化的第二半导体层，第二半导体层包括间隔分布的第二有源结构以及遮挡结构，遮挡结构在衬底上的正投影至少部分与第一有源结构在衬底上的正投影相重叠；以遮挡结构为遮挡层对第一有源结构进行离子植入，以形成第一沟道区以及第一掺杂区，第一沟道区在第一方向上的两侧分别形成有第一掺杂区。本发明实施例能够在同一衬底上同时成型不同类型的晶体管，且能够利于阵列基板的成本控制。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板的成型方法、阵列基板以及显示装置。

背景技术

随着信息技术时代的真正开始，以图形方式表示电信息信号的显示领域得到了迅速的发展。据此，已经开发了更薄、更轻、功耗更低的各种类型的显示装置，如液晶显示(LCD)装置、有机发光显示(OLED)装置、电泳显示(EPD)装置和电润湿显示(EWD)装置等。

显示装置如OLED显示装置在工作时，需要相应的阵列基板对其显示面板进行驱动。阵列基板通常包括晶体管，晶体管可按有源层的材料进行分类，已有的阵列基板，当包括两种以上类型的晶体管时，其成型方法繁琐，不利于阵列基板的成本控制。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板的成型方法、阵列基板以及显示装置，该阵列基板的成型方法能够在同一衬底上同时成型不同类型的晶体管，且能够利于阵列基板的成本控制。

一方面，根据本发明实施例提出了一种阵列基板的成型方法，包括：

在衬底上形成图案化的第一半导体层，第一半导体层包括阵列分布的第一有源结构；

在第一半导体层背离衬底的一侧形成第一绝缘层；

在第一绝缘层背离衬底的一侧形成图案化的第二半导体层，第二半导体层包括间隔分布的第二有源结构以及遮挡结构，遮挡结构在衬底上的正投影至少部分与第一有源结构在衬底上的正投影相重叠；

以遮挡结构为遮挡层对第一有源结构进行离子植入，以形成第一沟道区以及第一掺杂区，第一沟道区在第一方向上的两侧分别形成有第一掺杂区。

另一个方面，根据本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底以及层叠设置于衬底的器件层，器件层具有多个阵列分布的第一晶体管以及第二晶体管，器件层包括：

第一半导体层，设置于衬底，第一半导体层包括阵列分布第一有源结构，第一有源结构包括第一沟道区以及第一掺杂区，第一沟道区在第一方向的两端分别设置有第一掺杂区；

第一绝缘层，设置于第一半导体层背离衬底的一侧；

第二半导体层，设置于第一绝缘层背离衬底一侧，第二半导体层包括间隔分布的第二有源结构以及遮挡结构，遮挡结构在衬底上的正投影覆盖沟道区在衬底上的正投影以及部分第一掺杂区在衬底上的正投影。

又一个方面，根据本发明实施例提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

根据本发明实施例提供的阵列基板的成型方法、阵列基板以及显示装置，阵列基板的成型方法包括在衬底上依次形成图案化的第一半导体层、第一绝缘层以及图案化的第二半导体层，由于形成的图案化的第二半导体层包括遮挡结构，且遮挡结构在衬底上的正投影至少部分与第一半导体层所包括的第一有源结构在衬底上的正投影相重叠，在对第一有源结构进行离子植入时，可以以遮挡结构为遮挡层进行离子植入，使得第一有源结构形成第一沟道区以及第一掺杂区，省去第一有源结构在掺杂时的掩膜板结构，简化阵列基板的成型方法，利于阵列基板的成本控制，且提高其成型效率。

附图说明

下面将参考附图来描述本发明示例性实施例的特征、优点和技术效果。