[发明专利]一种共用深N阱的SPAD器件及其构成的光探测阵列

权利要求书

1.一种共用深N阱的SPAD器件，包括：透镜(MICROLENS)、深槽隔离(DTI)、衬底(SUBSTRATE)、深N阱(DNW)、N阱(NW)、SPAD的阳极(P+)、SPAD的阴极(N+)、浅槽隔离(STI)、P阱(PW)、第一层金属(M1)、第二层金属(M2)、多个第一通孔(CT)以及第二通孔(V1)，每个第一通孔(CT)各自独立，其特征在于，所述阴极(N+)设置在所述SPAD器件内部的每侧，每侧的阴极(N+)上设置所述N阱(NW)，在所述SPAD器件内部从每侧向中心的方向，依次是浅槽隔离(STI)、P阱(PW)、阳极(P+)，在所述SPAD器件内部从上至下的方向，在每侧的阴极(N+)上，每侧阴极(N+)通过该侧的第一通孔(CT)与该侧的第一金属层(M1)相连，在每一侧的阴极(N+)上的第一层金属(M1)相互连接形成闭环结构，在所述阳极(P+)上，该阳极(P+)通过第一通孔(CT)与第一层金属(M1)相连，该第一层金属(M1)通过第二通孔(V1)与第二层金属(M2)相连，在所述阳极(P+)上的第一金属层(M1)与在每一侧的阴极(N+)上的第一层金属(M1)各自独立。

2.根据权利要求1所述的SPAD器件，其特征在于，所述SPAD器件是正多边形或圆形。

3.一种SPAD器件构成的光探测阵列，其特征在于，使用权利要求1所述的共用深N阱的SPAD器件构成，组成所述光探测阵列的每一个SPAD器件包括透镜(MICROLENS)、深槽隔离(DTI)、衬底(SUBSTRATE)、深N阱(DNW)、N阱(NW)、SPAD的阳极(P+)、SPAD的阴极(N+)、浅槽隔离(STI)、P阱(PW)、第一层金属(M1)、第二层金属(M2)、多个第一通孔(CT)以及第二通孔(V1)，每个第一通孔(CT)各自独立，所述阴极(N+)设置在所述SPAD器件内部的每侧，每侧的阴极(N+)上设置所述N阱(NW)，在所述SPAD器件内部从每侧向中心的方向，依次是浅槽隔离(STI)、P阱(PW)、阳极(P+)，在所述SPAD器件内部从上至下的方向，在每侧的阴极(N+)上，每侧阴极(N+)通过该侧的第一通孔(CT)与该侧的第一金属层(M1)相连，在每一侧的阴极(N+)上的第一层金属(M1)相互连接形成闭环结构，在所述阳极(P+)上，该阳极(P+)通过第一通孔(CT)与第一层金属(M1)相连，该第一层金属(M1)通过第二通孔(V1)与第二层金属(M2)相连，在所述阳极(P+)上的第一金属层(M1)与在每一侧的阴极(N+)上的第一层金属(M1)各自独立，两个SPAD器件相邻一侧共用同一阴极(N+)、同一第一通孔(CT)以及同一第一层金属(M1)，该阴极(N+)通过同一第一通孔(CT)与同一第一层金属(M1)相连，两个SPAD器件相邻的一侧共用一个深槽隔离(DTI)。

4.根据权利要求3所述的光探测阵列，其特征在于，组成所述光探测阵列的每一个SPAD器件是正多边形或圆形。

5.根据权利要求3所述的光探测阵列，其特征在于，所述光探测阵列的行的SPAD器件个数与列的SPAD器件个数相同。