[发明专利]一种封装基板的激光加工方法及激光加工系统

权利要求书

1.一种封装基板的激光加工方法，其中，所述封装基板包括层叠设置的绝缘层和覆铜层；其特征在于，所述激光加工方法包括如下步骤：

根据第一加工轨迹，沿所述绝缘层至所述覆铜层的方向上，采用第一激光束对所述绝缘层加工出第一凹槽；

根据第二加工轨迹，于所述第一凹槽的槽底，采用激光束组对所述绝缘层依次进行至少两次分层加工以加工出第二凹槽，并露出所述覆铜层；

其中，所述第一激光束的激光加工参数为第一激光加工参数；所述激光束组中各激光束的激光加工参数与所述第一激光加工参数不同；

所述第一凹槽的横截面积大于所述第二凹槽的横截面积，且所述第一凹槽通过所述第二凹槽与所述覆铜层连通设置。

2.根据权利要求1所述的封装基板的激光加工方法，其特征在于，所述激光束组包括具有层级激光加工参数的第二激光束和具有终级激光加工参数的第三激光束，所述第二激光束预备有至少一束；

在所述采用激光束组对所述绝缘层依次进行至少两次分层加工以加工出第二凹槽，并露出所述覆铜层的步骤中，具体包括如下步骤：

采用各所述层级激光加工参数的第二激光束对所述绝缘层依次进行至少一次分层加工以加工出所述第二凹槽，并露出所述覆铜层；

于所述第二凹槽的槽底，采用所述终级激光加工参数的第三激光束对所述覆铜层的表面进行激光抛光及去除加工残屑。

3.根据权利要求2所述的封装基板的激光加工方法，其特征在于，所述层级激光加工参数包括第二激光加工参数、第三激光加工参数和第四激光加工参数；

在所述采用各所述层级激光加工参数的第二激光束对所述绝缘层依次进行至少一次分层加工以加工出所述第二凹槽，并露出所述覆铜层的步骤中，具体包括如下步骤：

依次采用所述第二激光加工参数、第三激光加工参数和第四激光加工参数的第二激光束对所述绝缘层依次进行三次分层加工以加工出所述第二凹槽，并露出所述覆铜层。

4.根据权利要求3所述的封装基板的激光加工方法，其特征在于，所述第二激光加工参数和第三激光加工参数均包括：扫描重复次数为1～10次，激光功率为5～40w，重复频率100kHz；

所述第四激光加工参数包括：扫描重复次数为1～5次，激光功率为5～20w，重复频率100kHz；

其中，所述第二激光加工参数和第三激光加工参数中的激光功率均大于所述第四激光加工参数的激光功率。

5.根据权利要求1所述的封装基板的激光加工方法，其特征在于，所述第一激光加工参数包括：扫描重复次数为1～5次，激光功率为10～40w，重复频率为100kHz。

6.根据权利要求2所述的封装基板的激光加工方法，其特征在于，所述终级激光加工参数包括：扫描重复次数为1～5次，激光功率为5～20w，重复频率为100kHz。

7.根据权利要求1至6任一项所述的封装基板的激光加工方法，其特征在于，所述第一加工轨迹包括至少两条第一轮廓线，各所述第一轮廓线之间不相重合，所述第一激光束依次沿所述至少两条第一轮廓线对所述绝缘层进行至少两次加工。

8.根据权利要求1至6任一项所述的封装基板的激光加工方法，其特征在于，所述第二加工轨迹包括至少两条第二轮廓线，各所述第二轮廓线之间不相重合，所述激光束组中的各激光束依次沿所述至少两条第二轮廓线对所述绝缘层进行至少两次加工。

9.根据权利要求1至6任一项所述的封装基板的激光加工方法，其特征在于，采用的激光器为紫外激光器。

10.一种激光加工系统，其特征在于，所述激光加工系统用于执行权利要求1至9任一项所述的封装基板的激光加工方法，包括：加工平台、激光器和控制系统；

所述加工平台用于放置封装基板；

所述激光器位于所述加工平台的顶部，用于射出不同激光加工参数的激光束以对封装基板的绝缘层进行逐次、逐层加工以先后得到第一凹槽和第二凹槽；

所述控制系统与所述激光器、所述加工平台电连接。