[发明专利]OLED基板、制作方法及显示面板在审
| 申请号： | 202011182871.1 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112289815A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 贾文斌;万想;高昕伟;王明 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 安凯 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 基板 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种OLED基板，其特征在于，包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的平坦层，所述平坦层采用有机硅制成；所述OLED基板上设置有像素电极和像素界定层，且所述像素电极和像素界定层设置于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧，所述像素界定层具有容置打印墨水的像素区域。
2.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于：所述OLED基板包括显示区域和非显示区域，所述平坦层设置在所述显示区域内。
3.根据权利要求2所述的OLED基板，其特征在于：所述OLED基板在所述非显示区域包括层叠设置的所述衬底基板、金属走线层、第一钝化层和金属缓冲层。
4.根据权利要求3所述的OLED基板，其特征在于：所述金属缓冲层为透明的金属层。
5.根据权利要求2所述的OLED基板，其特征在于：所述OLED基板在所述非显示区域包括层叠设置的所述衬底基板、金属走线层、第一钝化层和第二钝化层。
6.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于：所述OLED基板还包括第三钝化层，所述第三钝化层包裹于所述平坦层的外侧。
7.根据权利要求6所述的OLED基板，其特征在于：所述第三钝化层包括第一覆盖部和所述第二覆盖部，所述第一覆盖部在所述平坦层远离所述衬底基板的外侧面延伸，所述第二覆盖部与所述第一覆盖部连接，且沿所述平坦层的外周端部延伸，所述第二覆盖部的延伸距离超过所述平坦层。
8.一种OLED基板的制作方法，所述OLED基板包括显示区域以及设置于所述显示区域外侧的非显示区域；
其特征在于：
获取衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成金属走线层、第一钝化层、金属缓冲层和有机硅平坦层；
干刻去除所述有机硅平坦层位于所述非显示区域的部分；
蚀刻去除所述金属缓冲层。
9.一种OLED基板的制作方法，所述OLED基板包括显示区域以及设置于所述显示区域外侧的非显示区域；
其特征在于：
获取衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成金属走线层、第一钝化层和有机硅平坦层；
干刻去除所述有机硅平坦层位于所述非显示区域的部分；
在与所述非显示区域对应所述金属走线层外侧制作第二钝化层。
10.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1-7中任一项所述的OLED基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
