[发明专利]一种电容器及其制造方法和DRAM

权利要求书

1.一种电容器的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底包括设置在绝缘材料层中并通过所述绝缘材料层间隔开的多个存储节点；

在所述半导体衬底上方顺序形成刻蚀停止层和多个堆叠结构层，每个堆叠结构层包括模制层和所述模制层上方的支撑层；

对所述刻蚀停止层和所述多个堆叠结构层进行刻蚀，以形成多个沟槽；

在顶部堆叠结构层中的顶部支撑层和部分顶部模制层上形成顶部保护层；

对所述多个沟槽中所述顶部堆叠结构层下方的各支撑层和所述刻蚀停止层的一部分进行回蚀，以使未被保护的各支撑层凹进，形成多个扩大沟槽；以及

在所述多个扩大沟槽中沉积下部电极层。

2.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，对所述刻蚀停止层和所述多个堆叠结构层进行刻蚀，以形成多个沟槽包括：

通过刻蚀工艺对所述多个堆叠结构层进行刻蚀，以形成具有多个第一开口的多个堆叠结构层图案；以及

以所述多个堆叠结构层图案为掩模，对所述多个第一开口下方的所述刻蚀停止层进行刻蚀，以形成穿过所述刻蚀停止层的多个第二开口，使得暴露所述存储节点的中间部分的顶面，其中，所述多个沟槽穿过所述多个堆叠结构层和所述刻蚀停止层。

3.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，在顶部堆叠结构层中的顶部支撑层和部分顶部模制层上方形成顶部保护层包括：

通过沉积工艺在所述顶部堆叠结构层中的顶部支撑层的顶面和侧壁上以及部分顶部模制层的侧壁上形成顶部保护层，而保持所述多个堆叠结构层中的剩余部分的侧壁上没有形成顶部保护层；其中，所述顶部支撑层的顶面处的顶部保护层的厚度大于所述顶部支撑层的侧壁处的顶部保护层的厚度。

4.根据权利要求3所述的电容器的制造方法，其特征在于，形成所述顶部保护层的沉积气体包括：CH₂F₂或CH₃F。

5.根据权利要求3所述的电容器的制造方法，其特征在于，

所述模制层包括氧化物；以及

所述支撑层和所述刻蚀停止层包括氮化硅；其中，所述模制层和所述支撑层的厚度在10nm至100nm的范围内。

6.根据权利要求3所述的电容器的制造方法，其特征在于，对所述多个沟槽中所述顶部堆叠结构层下方的各支撑层和所述刻蚀停止层的一部分进行回蚀，以使未被保护的各支撑层凹进包括：

通过磷酸对所述多个沟槽中所述顶部堆叠结构层下方的未被所述顶部保护层覆盖的各支撑层和刻蚀停止层的一部分进行回蚀，直到暴露所述存储节点的整个顶面停止回蚀，使得未被所述顶部保护层保护的各支撑层和所述刻蚀停止层凹进，而保持各模制层未被刻蚀，以形成比所述多个沟槽扩大的多个扩大沟槽，

其中，所述回蚀的量在2nm至10nm的范围内。

7.根据权利要求3所述的电容器的制造方法，其特征在于，在所述多个扩大沟槽中沉积下部电极层包括：

通过刻蚀工艺去除所述顶部支撑层的顶面和侧壁上以及部分顶部模制层的侧壁处的顶部保护层；以及

通过沉积工艺在所述多个扩大沟槽中的各支撑层、各模制层和所述刻蚀停止层的暴露表面上沉积所述下部电极层。

8.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，在沉积下部电极层之后，所述方法进一步包括：

去除所述堆叠结构层的剩余部分，并在所述下部电极层内壁和外壁上形成电容介质层和上部电极层。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述多个堆叠结构层包括4个以上的堆叠结构层。