[发明专利]热固性片材及切割芯片接合薄膜

说明书

本发明涉及热固性片材及切割芯片接合薄膜。本发明的热固性片材包含热固性树脂、挥发成分和导电性颗粒，该热固性片材在200mL/分钟的氮气气流下以10℃/分钟的升温条件从室温升温至100℃并在100℃下保持30分钟时的失重率W₁为0.5质量％以下，在200mL/分钟的氮气气流下以10℃/分钟的升温条件从100℃升温至200℃并在200℃下保持30分钟时的失重率W₂为2质量％以上。

[相关申请的相互参照]

本申请主张日本特愿2019-203291号的优先权，通过引用而并入本申请说明书的记载。

技术领域

本发明涉及热固性片材及切割芯片接合薄膜。

背景技术

一直以来，作为在半导体装置的制造中将半导体元件粘接于金属引线框等被粘物的方法(芯片接合法)，已知有使用热固性片材的方法(例如专利文献1)。

专利文献1中作为热固性片材公开了包含导电性颗粒和热固性树脂的热固性片材。

在这种方法中，热固性片材通过在一面具备半导体元件的状态下以规定温度(例如70℃)将另一面临时粘合于金属引线框等被粘物后，以比此更高的温度(例如200℃)进行热固化，从而粘接于前述被粘物。

然而，在半导体装置中使用功率半导体元件的情况下，功率半导体元件在几MVA以上的大电力下使用，因此会产生大的发热量。

因此，在将如上所述的热固性片材用于功率半导体元件的情况下，优选粘接于被粘物后的热固性片材、即固化后的热固性片材具有高的散热性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-21813号公报

发明内容

发明要解决的问题

在使用除功率半导体元件以外的半导体元件的情况下也同样会发生如上所述的发热的问题。

然而，关于提高固化后的热固性片材的散热性，还很难说已进行了充分的研究。

因此，本发明的课题在于提供固化后的散热性较高的热固性片材、及具备该热固性片材的切割芯片接合薄膜。

用于解决问题的方案

本发明的热固性片材包含：

热固性树脂、挥发成分和导电性颗粒，

该热固性片材在200mL/分钟的氮气气流下以10℃/分钟的升温条件从室温升温至100℃并在100℃下保持30分钟时的失重率W₁为0.5质量％以下，在200mL/分钟的氮气气流下以10℃/分钟的升温条件从100℃升温至200℃并在200℃下保持30分钟时的失重率W₂为2质量％以上。

在前述热固性片材中，优选的是，

前述挥发成分包含1个以上的羟基且沸点为250℃以上。

在前述热固性片材中，优选的是，

前述挥发成分为萜烯化合物。

在前述热固性片材中，优选的是，

前述导电性颗粒为烧结性金属颗粒。

优选的是，前述烧结性金属颗粒包含烧结性金属的纳米颗粒聚集而得到的聚集纳米颗粒，

前述聚集纳米颗粒在前述烧结性金属颗粒的总质量中所占的质量比率为50质量％以上且90质量％以下。