[发明专利]一种反应磁控溅射分离式布气法

说明书

本发明公开了一种反应磁控溅射分离式布气法，包括气体流量控制仪、密封箱、磁控溅射等离子体物理面基本挡板、被溅射玻璃基片，所述气体流量控制仪下端连接有所述密封箱，所述气体流量控制仪前端设置有气体流量显示窗口，所述气体流量控制仪一侧设置有进气管，所述进气管出气端连接气体流量计，所述气体流量计通过连接头连接气体通断电磁阀，所述气体通断电磁阀通过连接管连接栾生对靶布气分流三通，所述栾生对靶布气分流三通两端均连接有气体输入管，所述气体输入管出气端连接迷宫布气装置。本发明解决了反应磁控溅射镀膜传统混合气体输入法所存在的溅射速率较低、靶表面易结瘤的问题。

技术领域

本发明涉及反应磁控溅射镀膜领域，特别是涉及一种反应磁控溅射分离式布气法。

背景技术

在反应磁控溅射镀膜过程中、溅射粒子与反应气体的作用不仅发生在基片表面而且也发生在溅射靶材表面，当溅射靶材表面沉积一定数量的氧化物时就会形成结瘤，靶面出现打火现象、溅射等离子体失去稳定，俗称的靶中毒。

目前在反应磁控溅射镀膜行业均在使用传统的混合气体输入法，工作气体和反应气体通过混合装置后输入气体流量控制系统，混合气体输入法具有两种气体扩散更均匀、节省一组布气装置和占用空间等优点，但由于反应气体距离溅射靶面太近很容易造成靶中毒。

发明内容

本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种反应磁控溅射分离式布气法。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的：

一种反应磁控溅射分离式布气法，包括气体流量控制仪、密封箱、磁控溅射等离子体物理面基本挡板、被溅射玻璃基片，所述气体流量控制仪下端连接有所述密封箱，所述气体流量控制仪前端设置有气体流量显示窗口，所述气体流量控制仪一侧设置有进气管，所述进气管出气端连接气体流量计，所述气体流量计通过连接头连接气体通断电磁阀，所述气体通断电磁阀通过连接管连接栾生对靶布气分流三通，所述栾生对靶布气分流三通两端均连接有气体输入管，所述气体输入管出气端连接迷宫布气装置，所述迷宫布气装置上设置有迷宫布气装置气体扩散小孔，所述密封箱前端设置有密封盖，所述密封箱内部设置有被溅射玻璃基片，所述被溅射玻璃基片下侧设置有两个磁控溅射旋转阴极对靶工作气体迷宫布气装置，所述磁控溅射旋转阴极对靶工作气体迷宫布气装置下侧设置有磁控溅射等离子体物理面基本挡板，所述磁控溅射等离子体物理面基本挡板之间设置有磁控溅射等离子体物理面可调控挡板，所述磁控溅射等离子体物理面基本挡板上前侧和两侧成型有连接丝孔，所述磁控溅射等离子体物理面基本挡板下侧设置有两个磁控溅射旋转阴极对靶反应气体迷宫布气装置，所述磁控溅射旋转阴极对靶工作气体迷宫布气装置和所述磁控溅射旋转阴极对靶反应气体迷宫布气装置内部均连接有迷宫布气装置，所述磁控溅射旋转阴极对靶反应气体迷宫布气装置下侧设置有两个磁控溅射旋转阴极栾生对靶，所述磁控溅射旋转阴极栾生对靶内侧设置有磁控溅射旋转阴极栾生对靶磁控磁场源。

优选的：所述气体流量控制仪设置有两组，分别连接外部的氩气和氧气，且第一组的所述连接管连接所述磁控溅射旋转阴极对靶工作气体迷宫布气装置内侧的所述迷宫布气装置，第二组的所述连接管连接所述磁控溅射旋转阴极对靶反应气体迷宫布气装置内侧的所述迷宫布气装置。

如此设置，利用两组所述气体流量控制仪分别控制氩气和氧气，从而提高控制精度。

优选的：所述连接头通过螺纹连接所述气体流量计和所述气体通断电磁阀，所述连接管通过螺纹连接所述气体通断电磁阀和所述栾生对靶布气分流三通。

如此设置，通过螺纹连接保证了，密封效果。

优选的：所述连接丝孔成型于所述磁控溅射等离子体物理面基本挡板，所述磁控溅射等离子体物理面基本挡板通过螺钉连接所述密封箱，所述磁控溅射等离子体物理面可调控挡板滑动连接所述磁控溅射等离子体物理面基本挡板。