[发明专利]硅片处理设备在审
申请号: | 202011187197.6 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112226745A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 左国军;梁建军;杨虎;候岳明;朱海剑;柳昆鹏 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/50;C23C16/54 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;王淑梅 |
地址: | 213133 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 处理 设备 | ||
本发明提供了一种硅片处理设备,硅片处理设备包括:硅片加工组件,硅片加工组件上设置有输入端和输出端,输入端适于接收载板,输出端适于输出载板;载板传送组件,载板传送组件包括:导轨,导轨的两端分别与输入端和输出端相连接;传输装置,设置于导轨上,传输装置能够沿导轨运动,传输装置上设置有腔体;其中,输出端输出的载板存入腔体后,经传输装置将载板输送至输入端。通过设置由导轨和传输装置组成的载板传送组件,取缔了皮带输送机,一方面精简了硅片处理设备的结构,缩减载板传送组件所占空间。通过在传送装置上设置腔体,可以从密封结构上进一步精简硅片处理设备的结构。
技术领域
本发明涉及光伏设备技术领域,具体而言,涉及一种硅片处理设备。
背景技术
光伏板式PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)工艺中,在硅片镀膜完成后需要将硅片卸下,硅片流转入下一道工序,此时的载板上面已经没有了硅片,需要再传输至PECVD设备的上料端。传统的板式PECVD载板回传装置是在腔体下方布置多段皮带输送机,将空的载板传输至PECVD设备的上料端。皮带输送机会占用腔体下方的空间,腔体下方皮带输送机故障或者腔体下的其他元器件故障时维护检修不方便。另外,随着镀膜工艺越来越严格,特别是异质结技术中,为了避免载板在回传过程中的污染,需要将载板在回传的过程中密封,如果再在皮带输送机的外围增加一套密封装置,无疑又进一步挤占了腔体下方的空间,而且增加的密封外壳,又增加了自身皮带输送机的维护难度。
因此,如何设计出一种结构精简、便于维护,且可以保证载板不受空气污染的硅片处理设备成为亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此,本发明的提出一种硅片处理设备。
有鉴于此,本发明提供了一种硅片处理设备,硅片处理设备包括:硅片加工组件,硅片加工组件上设置有输入端和输出端,输入端适于接收载板,输出端适于输出载板;载板传送组件,载板传送组件包括:导轨,导轨的两端分别与输入端和输出端相连接;传输装置,设置于导轨上,传输装置能够沿导轨运动,传输装置上设置有腔体;其中,输出端输出的载板存入腔体后,经传输装置将载板输送至输入端。
在该技术方案中,限定了一种硅片处理设备,用于对硅片表面执行镀膜处理,处理过程中,硅片放置在载板上,载板作为载体承载硅片完成工艺加工。硅片处理设备包括硅片加工组件和载板传送组件。硅片加工组件为工艺处理设备,硅片在硅片加工组件内部完成镀膜处理,其中硅片加工组件上设置有输入端和输出端,放置有待加工硅片的载板由输入端进入硅片加工组件内部以完成加工,完成加工后,载板承载着成品硅片由输出端传出硅片加工组件。载板传送组件为硅片处理设备中的载板回传装置,用于将由输出端传出的载板回传至输入端,从而结合硅片加工组件完成载板的循环。载板传送组件包括导轨和传送装置,导轨的两端分别连接硅片加工组件上的输入端和输出端,传送装置设置在导轨上并与导轨配合相连,当输出端所传出的载板上的硅片被取出后,传输装置接收载板并沿导轨将载板传送至输出端。其中传输装置上设置有腔体,由输出端传出的载板被传输装置接收后存放在腔体中。
通过设置由导轨和传输装置组成的载板传送组件,取缔了皮带输送机,一方面精简了硅片处理设备的结构,缩减载板传送组件所占空间。另一方面,导轨和传输装置所组成的载板传送组件,拆装简单,维护难度低,在检修和更换部件时,便于用户操作。另外常规皮带传送机上的动力装置在工作过程中容易与皮带和载板出现干涉,易出现卡板问题,本申请通过设置导轨和传送装置有效降低了干涉概率,防止出现卡板现象。通过在传送装置上设置腔体,可以从密封结构上进一步精简硅片处理设备的结构,在传送装置上设置密封的腔体可以免去在整个载板传送组件的延伸区域设置大面积的密封装置,一方面缩减硅片处理设备所占用空间,另一方面缩减了生产成本。进而实现了优化硅片处理设备结构,缩减硅片处理设备所占空间,降低载板传送组件的维护难度和故障率,提升用户使用体验的技术效果。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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