[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层材料包括铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层材料由铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物组成。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述嵌段聚合物与所述铅系量子点特异性结合。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述嵌段聚合物含有孤电子，所述嵌段聚合物通过所述孤电子与所述铅系量子点中铅离子的空电子轨道匹配结合。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述嵌段聚合物为聚苯乙烯-聚(4-乙烯嘧啶)、聚4-甲基苯乙烯-聚(4-乙烯嘧啶)以及聚3-甲基苯乙烯-聚(4-乙烯嘧啶)中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述铅系量子点为硫化铅、硒化铅和碲化铅中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为10-60nm。

8.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供阳极衬底；

在所述阳极衬底表面制备量子点发光层，所述量子点发光层材料包括铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物；

在所述量子点发光层表面制备阴极，制得所述量子点发光二极管；

或者，提供阴极衬底；

在所述阴极衬底表面制备量子点发光层，所述量子点发光层材料包括铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物；

在所述量子点发光层表面制备阳极，制得所述量子点发光二极管。

9.根据权利要求8所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述所述嵌段聚合物与所述铅系量子点特异性结合。

10.根据权利要求8所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在阳极衬底表面制备量子点发光层的步骤包括：

将铅系量子点溶液与嵌段聚合物溶液混合，使所述嵌段聚合物包覆在所述铅系量子点表面，制得复合材料溶液；

在所述阳极衬底表面沉积所述复合材料溶液，制得量子点发光层；

或者，所述在阴极衬底表面制备量子点发光层的步骤包括：

将铅系量子点溶液与嵌段聚合物溶液混合，使所述嵌段聚合物包覆在所述铅系量子点表面，制得复合材料溶液；

在所述阴极衬底表面沉积所述复合材料溶液，制得量子点发光层。